题目内容
(8分)下列物质中互为同分异构体的有 ,互为同素异形体的有 ,属于同位素的有 ,属于同一种物质的有 。(填序号)
①液氯 ② ③白磷 ④18O ⑤
⑥红磷 ⑦16O ⑧氯气
②⑤、③⑥、④⑦、①⑧
解析试题分析:②⑤的分子式相同,结构不同,是同分异构体;③白磷与⑥红磷是由同种元素形成的不同性质的单质,是同素异形体;④⑦质子数相同,而中子数不同没事同位素;①液氯与⑧氯气是同一物质的两种不同的状态。
考点:考查同分异构体、同位素、同素异形体、同一物质的概念的辨析及应用的知识。
(9分)4种相邻的主族短周期元素的相对位置如表,元素x的原子核外电子数是m的2倍,y的氧化物具有两性。回答下列问题:
| | m | n |
x | y | | |
(2)m、n、y三种元素最高价氧化物的水化物中,酸性最强的是______,碱性最强的是______.(填化学式)
(3)气体分子(mn)2的电子式为_______,(mn)2称为拟卤素,性质与卤素类似,其与氢氧化钠溶液反应的化学方程式是_____________________________。
(14分)元素单质及其化合物有广泛用途,请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题:
(1)按原子序数递增的顺序(稀有气体除外),以下说法正确的是 。
a.原子序数和离子半径均减小 b.金属性减弱,非金属性增强
c.氧化物对应的水合物碱性减弱,酸性增强 d.单质的熔点降低
(2)原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为 ,氧化性最弱的简单阳离子是 。
(3)已知:
化合物 | MgO | Al2O3 | MgCl2 | AlCl3 |
类型 | 离子化合物 | 离子化合物 | 离子化合物 | 共价化合物 |
熔点/℃ | 2800 | 2050 | 714 | 191 |
工业制镁时,电解MgCl2而不电解MgO的原因是 ;制铝时,电解Al2O3而不电解AlCl3的原因是 。
(4)晶体硅(熔点1410℃)是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下:
写出SiCl4的电子式: ;在上述由SiCl4制纯硅的反应中,测得每生成1.12kg纯硅需吸收akJ热量,写出该反应的热化学方程式: 。
(5)P2O5是非氧化性干燥剂,下列气体不能用浓硫酸干燥,可用P2O5干燥的是 。
a. NH3 b. HI c. SO2 d . CO2
(6)KClO3可用于实验室制O2,若不加催化剂,400℃时分解只生成两种盐,其中一种是无氧酸盐,另一种盐的阴阳离子个数比为1:1。写出该反应的化学方程式: 。
某金属(A)在TK以下晶体的基本结构单元如左下图所示,T K以上转变为右下图所示结构的基本结构单元,在两种晶体中最邻近的A原子间距离相同
(1)在T K以下的纯A晶体中,与A原子等距离且最近的A原子数为______个;在T K以上的纯A晶体中,与A原子等距离且最近的A原子数为___________;
(2)纯A晶体在晶型转变前后,二者基本结构单元的边长之比为(TK以上与TK以下之比)___________。
(3)左上图的的堆积方式为 , TK以下经测定其结构和性质参数如下表所示
金属 | 相对原子质量 | 分区 | 原子半径/pm | 密度/g·㎝-3 | 原子化热/kJ·mol-1 |
Na | 22.99 | s区 | 186 | 0.960 | 108.4 |
A | 60.20 | d区 | r | 7.407 | 7735 |
。
(已知,7.407≈,1pm=10m)
(15分)X、Y、Z、W、R、T为前四周期元素且原子序数依次增大。T原子序数等于X、Y、R原子序数之和。Z为地壳中含量最多的元素。X、Z原子核外均有2个未成对电子。Z与R位于同一主族。X、Y、Z、W、R、T中只有两种金属元素,且存在下列反应: 2W+XZ2 X+2WZ
回答下列问题:
(1)X、Y、Z的第一电离能最大的是 (用元素符号表示)。
(2)在元素R和元素Z形成的常见化合物中,属于非极性分子的是 (填化学式),该分子中中心原子以 杂化。
(3)由X、T元素组成的单质中一定不存在 (填序号)。
A.离子晶体 | B.分子晶体 | C.原子晶体 | D.金属晶体 |
(5)T+能与NH3通过配位键结合为[T(NH3)n]+。该离子中T+的4s轨道及4p轨道通过sp杂化接受NH3提供的孤电子对。① [T(NH3)n]+中n= 。② [T(NH3)n]+中T+与n个氮原子构成的空间结构呈 型。
(6)化合物WZ和NaCl的晶胞结构形似
(氯化钠晶胞结构如右图所示)。
①在WZ中,阳离子和阴离子的配位数均为 。
②已知WZ的密度为a g/cm3,则WZ中距离最近的阳离子间的距离为 pm(用含a的算式表示,阿伏伽德罗常数为NA)。