题目内容

8.下列如图装置应用于实验室制取NH3气体,并用AlCl3溶液吸收多余氨气制氢氧化铝,最后回收氯化铵的实验,能达到实验目的是(  )
A.用装置甲制取NH3
B.用装置乙吸收NH3制取Al(OH)3
C.用装置丙在不断搅拌下分离Al(OH)3和NH4Cl溶液
D.用装置丁蒸干NH4Cl溶液并灼烧制NH4Cl

分析 A.CaO与水反应增大氢氧根离子浓度,且放热,均可使氨气逸出;
B.氨气极易溶于水;
C.过滤时不能搅拌,易捣破滤纸;
D.加热NH4Cl分解生成氨气和HCl.

解答 解:A.CaO与水反应增大氢氧根离子浓度,且放热,均可使氨气逸出,则图中固液反应装置可制备氨气,故A正确;
B.氨气极易溶于水,导管在液面下,图中装置可发生倒吸,故B错误;
C.过滤时不能搅拌,易捣破滤纸,则不能分离Al(OH)3和NH4Cl溶液,故C错误;
D.蒸干NH4Cl溶液,氯化铵分解,应选结晶法制NH4Cl,故D错误;
故选A.

点评 本题考查化学实验方案的评价,为高频考点,涉及气体的制备、收集及混合物分离提纯等,把握反应原理、实验装置的作用为解答的关键,侧重分析与实验能力的考查,题目难度不大,选项D为易错点.

练习册系列答案
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14.元素单质及其化合物有广泛用途,请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题:
(1)按原子序数递增的顺序(稀有气体除外),以下说法正确的是b.
a.原子半径和离子半径均减小
b.金属性减弱,非金属性增强
c.氧化物对应的水化物碱性减弱,酸性增强
d.单质的熔点降低
(2)氧化性最弱的简单阳离子的结构示意图是
(3)晶体硅(熔点1410℃)是良好的半导体材料.由粗硅制纯硅过程如下:
  Si(粗)$→_{460℃}^{Cl_{2}}$SiCl4$\stackrel{蒸馏}{→}$SiCl4(纯)$→_{1100℃}^{H_{2}}$Si(纯)
在上述由SiCl4制纯硅的反应中,测得每生成1.12 kg纯硅需吸收a kJ热量,写出该反应的热化学方程式2H2(g)+SiCl4(g)$\frac{\underline{\;1100℃\;}}{\;}$Si(s)+4HCl(g)△H=+0.025akJ•mol-1
(4)Na2S溶液长期放置有硫析出,原因为2S2-+O2+2H2O=2S↓+4OH-(用离子方程式表示).
(5)已知:2SO2(g)+O2(g)?2SO3(g) 平衡常数为K1
2NO(g)+O2(g)?2NO2(g) 平衡常数为K2
则反应NO2(g)+SO2(g)?SO3(g)+NO(g)的平衡常数为K3=$\sqrt{\frac{{K}_{1}}{{K}_{2}}}$(用K1、K2来表达)一定条件下,将NO2与SO2以体积比1:2置于密闭容器中发生上述反应,下列能说明反应达到平衡状态的是bc.
a.体系压强保持不变               
b.混合气体颜色保持不变
c.SO2和NO的体积比保持不变    
d.每消耗1 mol SO3的同时生成1molNO2
测得上述反应平衡时NO2与SO2体积比为1:6,则平衡常数K=$\frac{8}{3}$.
(6)KClO3可用于实验室制O2,若不加催化剂,400℃时分解只生成两种盐,其中一种是无氧酸盐,另一种盐的阴阳离子个数比为1:1.写出该反应的化学方程式4KClO3$\frac{\underline{\;400℃\;}}{\;}$KCl+3KClO4

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