题目内容
如图甲所示,在光滑水平面上用恒力F拉质量m的单匝均匀正方形铜线框,边长为a,总电阻为R,在1位置以速度v0进入磁感应强度为B的匀强磁场,并开始计时t=0,若磁场的宽度为b(b>3a),在3t0时刻线框到达2位置速度又为v0,并开始离开匀强磁场.此过程中v-t图象如图乙所示,则( )
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试题答案
B
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如图甲所示,在光滑水平面上用恒力F拉质量为1kg的单匝均匀正方形铜线框,在1位置以速度v0=3m/s进入匀强磁场时开始计时t=0,此时线框中感应电动势为1V,在t=3s时刻线框到达2位置开始离开匀强磁场.此过程中v-t图象如图乙所示,那么( )

| A、t=0时线框右侧的边两端M、N间电压为0.25V | B、恒力F的大小为1.0N | C、线框完全离开磁场的位置3的瞬时速度为2m/s | D、线框完全离开磁场的位置3的瞬时速度为1m/s |
如图甲所示,在光滑水平面上用恒力F拉质量为1 kg的单匝均匀正方形铜线框,在1位置以速度v0=3 m/s进入匀强磁场时开始计时t=0,此时线框中感应电动势为1 V,在t=3 s时刻线框到达2位置开始离开匀强磁场.此过程中v-t图象如图乙所示,那么( )
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A.t=0时线框右侧的边两端M、N间电压为0.25 V
B.恒力F的大小为1.0 N
C.线框完全离开磁场的位置3的瞬时速度为2 m/s
D.线框完全离开磁场的位置3的瞬时速度为1 m/s
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如图甲所示,在光滑水平面上用恒力F拉质量m的单匝均匀正方形铜线框,边长为a,总电阻为R,在1位置以速度v0进入磁感应强度为B的匀强磁场,并开始计时t=0,若磁场的宽度为b(b>3a),在3t0时刻线框到达2位置速度又为v0,并开始离开匀强磁场.此过程中v-t图象如图乙所示,则( )

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| A.t=0时,线框右侧边MN的两端电压为Bav0 |
| B.在t0时刻线框的速度为v0-2Ft0/m |
| C.线框完全离开磁场的瞬间位置3速度一定比t0时刻线框的速度大 |
| D.线框从1位置进入磁场到完全离开磁场位置3过程中,线框中产生的电热为F(a+b) |
如图甲所示,在光滑水平面上用恒力F拉质量m的单匝均匀正方形铜线框,边长为a,总电阻为R,在1位置以速度v进入磁感应强度为B的匀强磁场,并开始计时t=0,若磁场的宽度为b(b>3a),在3t时刻线框到达2位置速度又为v,并开始离开匀强磁场.此过程中v-t图象如图乙所示,则( )

A.t=0时,线框右侧边MN的两端电压为Bav
B.在t时刻线框的速度为v-2Ft/m
C.线框完全离开磁场的瞬间位置3速度一定比t时刻线框的速度大
D.线框从1位置进入磁场到完全离开磁场位置3过程中,线框中产生的电热为F(a+b)
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A.t=0时,线框右侧边MN的两端电压为Bav
B.在t时刻线框的速度为v-2Ft/m
C.线框完全离开磁场的瞬间位置3速度一定比t时刻线框的速度大
D.线框从1位置进入磁场到完全离开磁场位置3过程中,线框中产生的电热为F(a+b)
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如图甲所示,在光滑水平面上用恒力F拉质量m的单匝均匀正方形铜线框,边长为a,总电阻为R,在1位置以速度v进入磁感应强度为B的匀强磁场,并开始计时t=0,若磁场的宽度为b(b>3a),在3t时刻线框到达2位置速度又为v,并开始离开匀强磁场.此过程中v-t图象如图乙所示,则( )

A.t=0时,线框右侧边MN的两端电压为Bav
B.在t时刻线框的速度为v-2Ft/m
C.线框完全离开磁场的瞬间位置3速度一定比t时刻线框的速度大
D.线框从1位置进入磁场到完全离开磁场位置3过程中,线框中产生的电热为F(a+b)
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A.t=0时,线框右侧边MN的两端电压为Bav
B.在t时刻线框的速度为v-2Ft/m
C.线框完全离开磁场的瞬间位置3速度一定比t时刻线框的速度大
D.线框从1位置进入磁场到完全离开磁场位置3过程中,线框中产生的电热为F(a+b)
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如图甲所示,在光滑水平面上用恒力F拉质量为1kg的单匝均匀正方形铜线框,在1位置以速度v0=3m/s进入匀强磁场时开始计时t=0,此时线框中感应电动势为1V,在t=3s时刻线框到达2位置开始离开匀强磁场.此过程中v-t图象如图乙所示,那么( )

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| A.t=0时线框右侧的边两端M、N间电压为0.25V |
| B.恒力F的大小为1.0N |
| C.线框完全离开磁场的位置3的瞬时速度为2m/s |
| D.线框完全离开磁场的位置3的瞬时速度为1m/s |
如图甲所示,在光滑水平面上用恒力F拉质量为1 kg的单匝均匀正方形铜线框,在1位置以速度v0=3 m/s进入匀强磁场时开始计时t=0,此时线框中感应电动势为1 V,在t=3 s时刻线框到达2位置开始离开匀强磁场.此过程中v-t图象如图乙所示,那么( )

| A.t=0时线框右侧的边两端M、N间电压为0.25 V |
| B.恒力F的大小为1.0 N |
| C.线框完全离开磁场的位置3的瞬时速度为2 m/s |
| D.线框完全离开磁场的位置3的瞬时速度为1 m/s |
如图甲所示,在光滑水平面上用恒力F拉质量为1 kg的单匝均匀正方形铜线框,在1位置以速度v0=3 m/s进入匀强磁场时开始计时t=0,此时线框中感应电动势为1 V,在t=3 s时刻线框到达2位置开始离开匀强磁场.此过程中v-t图象如图乙所示,那么

- A.t=0时线框右侧的边两端M、N间电压为0.25 V
- B.恒力F的大小为1.0 N
- C.线框完全离开磁场的位置3的瞬时速度为2 m/s
- D.线框完全离开磁场的位置3的瞬时速度为1 m/s
