题目内容
| 氮化硅(Si3N4)是一种新型陶瓷材料,它可由石英与焦炭在高温的氮气流中,通过以下反应制得: 3SiO2+6C+2N2 Si3N4+6CO。下列叙述正确的是 |
A.在氮化硅的合成反应中,N2是还原剂,SiO2是氧化剂 B.上述反应中每生成1molSi3N4,N2得到12mol的电子 C.若已知上述反应为放热反应,升高温度,其平衡常数增大 D.若使压强增大,上述平衡向正反应方向移动 |
试题答案
B3SiO2(s)+6C(s)+2N2(g)?Si3N4(s)+6CO(g)
(1)该反应的平衡常数表达式为K=
| c6(CO) |
| c2(N2) |
| c6(CO) |
| c2(N2) |
(2)若知上述反应为放热反应,则其反应热△H
(3)若使压强增大,则上述平衡向
(4)若增加C的量,其正反应速率的变化是
(5)若已知CO生成速率为v(CO)=18mol/(L?min),则N2消耗速率为:v(N2)=
| ||
3SiO2(s)+6C(s)+2N2(g)
| 高温 |
(1)该反应的平衡常数表达式为K=
| c6(CO) |
| c2(N2) |
| c6(CO) |
| c2(N2) |
(2)上述反应的熵变△S
(3)在一定温度下上述反应达到平衡的标志是
A.单位时间生成2摩尔Si3N4的同时生成1摩尔的N2
B.容器内c(N2):c(CO)=1:3
C.容器内的气体中,CO的百分含量保持不变
D.单位时间消耗1摩尔SiO2的同时生成2摩尔的C
(4)达到平衡后,改变某一外界条件,反应速率v与时间t的关系如图:
若不改变N2、CO的量,则图中t4时引起平衡移动的条件可能是
3SiO2+6C+2N2
| 高温 |
(1)该反应的平衡常数表达式为K=
(2)已知上述反应为放热反应,则Q
(3)若增大体系压强,则上述平衡向
(4)若已知平衡时CO生成速率为v(CO)=18mol?L-1?min-1,则N2的生成速率为v(N2)=
| 高温 |
(1)配平上述反应的化学方程式(将化学计量数填在横线上);
(2)该反应的氧化剂是
(3)该反应的平衡常数表达式为K=
(4)若上述反应为放热反应,则其反应热△H
(5)若使压强增大,则上述平衡向
(6)下列能加快反应速率的措施为:
①降低温度 ②将SiO2粉碎 ③增大焦炭用量 ④转移出CO
(7)若已知CO生成速率为v(CO)=18mol?L-1?min-1,则N2消耗速率为v(N2)=
| 高温 |
(1)配平反应中各物质的化学计量数,并标明电子转移方向和数目.
(2)该反应的氧化剂是
(3)上述反应进程中能量变化示意图如图1,试在图象中用虚线表示在反应中使用催化剂后能量的变化情况.
(4)该反应的平衡常数表达式为K=
(5)该化学反应速率与反应时间的关系如图2所示,t2时引起v正突变、v逆渐变的原因是
![]()
(1)配平上述反应的化学方程式(将化学计量数填在方框内);
(2)该反应的氧化剂是 ,其还原产物是 ;
(3)该反应的平衡常数表达式为K= ;
(4)若知上述反应为放热反应,则其反应热△H 零(填“大于”、“小于”或“等于”);升高温度,其平衡常数值 (填“增大”、“减小”或“不变”);
(5)若使压强增大,则上述平衡向 反应方向移动(填“正”或“逆”);
(6)若已知CO生成速率为v(CO)=18mol/(L·min),则N2消耗速速率为v(N2)= mol/(L·min)。
查看习题详情和答案>>氮化硅(Si3N4)是一种新型陶瓷材料,它可由石英与焦炭在高温的氮气流中,通过以下反应制得:
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(1)配平上述反应的化学方程式(将化学计量数填在方框内);
(2)该反应的氧化剂是 ,其还原产物是 ;
(3)该反应产生标准状况下11.2升CO气体,则电子转移 摩尔。
(4)若有1摩尔焦炭与足量的SiO2、氮气反应,电子转移 (填大于、等于或小于)2摩尔,理由是 。
查看习题详情和答案>>(8分)氮化硅(Si3N4)是一种新型陶瓷材料,它可由石英与焦炭在高温的氮气流中,通过以下反应制得:□SiO2+□C+□N2□Si3N4+□CO
(1)配平上述反应的化学方程式(将化学计量数填在方框内);
(2)该反应的氧化剂是 ,其还原产物是 ;
(3)若知上述反应为放热反应,则其反应热△H 零(填“大于”、“小于”或“等于”);升高温度,其平衡常数值 (填“增大”、“减小”或“不变”);
(4)若使压强增大,则上述平衡向 反应方向移动(填“正”或“逆”);
(5)若已知CO生成速率为v(CO)=18mol/(L.min),则N2消耗速速率为
v(N2)= mol/(L.min)。
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Si3N4+6CO。下列叙述正确的是