6.霍尔效应是1879年由美国物理学家E.H.Hall首先在金属材料中发现的,至今,能将磁信号转换成电信号的线性磁敏性元件--霍尔元件已在很多领域(电器、电子测量仪表等)得到应用.如图所示,在一个很小的矩形半导体薄片上制作成四个电极EFMN,就成了一个霍尔元件.已知图中元件为载流子带正电的P型半导体材料,单位体积中含载流子的个数为n.若在EF间通入恒定的电流I,同时外加与薄片垂直的磁场B,在MN间出现的电压UH称为霍尔电压.

(1)电流和磁场如图所示,试判定MN两端电势的高低.

(2)试证明:UHRR为与材料有关的常量.

(3)=k被定义为霍尔元件的灵敏度(R为上问关系式中的常量),则采用哪些方法可提高元件的灵敏度?

解析:(1)P型半导体的载流子带正电荷,由左手定则知,通电后载流子向N极偏移,故φNφM.

(2)载流子向N极偏移使得NM之间形成电压后,载流子又受到与NM面垂直的电场力作用.设MN两表面的间距为a,载流子的电荷量为q,定向移动的速度为v,在UH达到稳定时,有:

q·=qvB

又由电流的定义可得:Inqadv

故有:UH=·,其中=R只与材料本身的特性有关.

(3)由第(2)问可得k==,故知减小厚度d、减小半导体中载流子的密度可以增大该霍尔元件的灵敏度.

答案:(1)N端电势比M端电势高 (2)略 (3)略

金典练习二十九 带电粒子在复合场中的运动

选择题部分共10小题,每小题6分.在每小题给出的四个选项中,有的小题只有一个选项正确,有的小题有多个选项正确.

 1.设空间存在竖直向下的匀强电场和垂直纸面向里的匀强磁场,如图所示.已知一离子在电场力和洛伦兹力的作用下,从静止开始自A点沿曲线ACB运动,到达B点时速度为零,C点是运动的最低点,

不计重力,下列说法不正确的是( )

A.离子必带正电荷

B.A点和B点位于同一高度

C.离子在C点时的速度最大

D.离子到达B点后,将沿原曲线返回A

解析:不需考虑离子受的重力,离子只受电场力和洛伦兹力作用,由轨迹可以判断离子必带正电荷;因为离子到达B点时的速度为零,由动能定理可以判断从AB电场力做的功为零,A点和B点位于同一高度;C点是运动的最低点,从AC电场力做的正功最多,离子在C点时的速度最大;离子带正电荷,可知离子到达B点后,将向右重复ACB的运动过程,离子不会沿原曲线返回A点.

答案:D

 0  391880  391888  391894  391898  391904  391906  391910  391916  391918  391924  391930  391934  391936  391940  391946  391948  391954  391958  391960  391964  391966  391970  391972  391974  391975  391976  391978  391979  391980  391982  391984  391988  391990  391994  391996  392000  392006  392008  392014  392018  392020  392024  392030  392036  392038  392044  392048  392050  392056  392060  392066  392074  447090 

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