摘要：A．m>1 B．m1 C．m>1且m-1 D．m>-1且m1(3)在平面直角坐标系中.若P在第二象限.则m的范围A．-1<m<3 B．m>3 C．m<-1 D．m>-1(4)已知反比例函数图像经过点(m.n).则它一定也经过点A． B． C． D．(5)点O是△ABC的内心.且∠BAC=100°.则∠BOC=A．130° B．140° C．75° D．65°(6)如图.已知⊙O的半径为5.点O到弦AB的距离是3.则⊙O上到弦AB所在直线的距离为2的点有个
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质谱仪是一种测定带电粒子质量和分析同位素的重要工具，它的构造原理如图所示．离子源S产生的各种不同正离子束(速度可看作为零)，经加速电场(加速电场极板间的距离为d、电势差为U)加速，然后垂直进入磁感应强度为B的有界匀强磁场中做匀速圆周运动，最后到达记录它的照相底片P上．设离子在P上的位置与入口处S1之间的距离为x。
(1)求该离子的荷质比
．
(2)若离子源产生的是带电量为q、质量为m1和m2的同位素离子(m1> m2)，它们分别到达照相底片上的P1、P2位置(图中末画出)，求P1、P2间的距离△x。
(3)若第(2)小题中两同位素离子同时进入加速电场，求它们到达照相底片上的时间差△t(磁场边界与靠近磁场边界的极板间的距离忽略不计)．
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(1)求该离子的荷质比
．(2)若离子源产生的是带电量为q、质量为m1和m2的同位素离子(m1> m2)，它们分别到达照相底片上的P1、P2位置(图中末画出)，求P1、P2间的距离△x。
(3)若第(2)小题中两同位素离子同时进入加速电场，求它们到达照相底片上的时间差△t(磁场边界与靠近磁场边界的极板间的距离忽略不计)．
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如图所示，过点F(0，1)的直线y= kx+b与抛物线 y=
交于M(xl, y1)和 N(x2,y2)两点(其中 xl<0，x2>0).
(1)求b的值.
(2)求x1. x2 的值.
(3)分别过M、N作直线l：y= -1 的垂线，委足分别是M1、N1, 判断△M1FN1 的形状，并证明你的结论.
(4)对于过点F1 的任意直线，是否存在一条定直线m，使m与以 MN为直径的圆相切.如果有，请写出这条直线 m的解析式；如果没有，请说明理由.
交于M(xl, y1)和 N(x2,y2)两点(其中 xl<0，x2>0). (1)求b的值.
(2)求x1. x2 的值.
(3)分别过M、N作直线l：y= -1 的垂线，委足分别是M1、N1, 判断△M1FN1 的形状，并证明你的结论.
(4)对于过点F1 的任意直线，是否存在一条定直线m，使m与以 MN为直径的圆相切.如果有，请写出这条直线 m的解析式；如果没有，请说明理由.
的图象的一支在第一象限内，那么a（ ）0（填“>”或“<”），图象的另一支在第（ ）象限，在这个函数图象的某一支上任取点A（m1，n1）和点B（m2，n2），如果有m1＞m2，那么n1（ ）n2（填“>”或“<”）。 