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当电流垂直于外磁场通过导体时，在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差，这一现象便是霍尔效应，这个电势差也被叫做霍尔电压。科学技术中常常利用霍尔效应测定磁场的磁感应强度。如图11所示为一金属导体，规格已在图中标出，若已知通过导体的电流为I，电压表示数为U，电子的电荷量为e，则被测匀强磁场（磁场方向垂直于前后表面）的磁感应强度大小为（已知电流的微观表达式为I=nsvq，其中n为导单位体积内的自由电荷数，s为导体的截面积，v为电荷定向移动的速率，q为电荷的带电量）（ ）
A.
B.
C.
D.
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根据经典理论，金属导体中电流的微观表达式为I＝nvSe，其中n为金属导体中每单位体积内的自由电子数，v为导体中自由电子沿导体定向移动的速率，S为导体的横截面积，e为自由电子的电荷量．如图11所示，两段长度和材料完全相同、各自粗细均匀的金属导线ab、bc，圆横截面的半径之比为rab∶rbc＝1∶4，串联后加上电压U，则 ( )
A．两导线内的自由电子定向移动的速率之比为vab∶vbc＝1∶4
B．两导线内的自由电子定向移动的速率之比为vab∶vbc＝4∶1
C．两导线的电功率之比为Pab∶Pbc＝4∶1
D．两导线的电功率之比为Pab∶Pbc＝16∶1
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一块N型半导体薄片(称霍尔元件)，其横载面为矩形，体积为b×c×d，如图所示．已知其单位体积内的电子数为n、电阻率为ρ、电子电荷量e．将此元件放在匀强磁场中，磁场方向沿Z轴方向，并通有沿x轴方向的电流I，则在此元件的CC/两个侧面就会出现电压，这种现象叫霍尔效应．
(1)此元件的CC/两个侧面中，哪个面电势高？
(2)试证明在磁感应强度一定时，此元件的CC/两个侧面的电压与其中的电流成正比．(提示：先求出电流的微观表达式)
(3)磁强计是利用霍尔效应来测量磁感应强度B的仪器．其测量方法为：将导体放在匀强磁场之中，用毫安表测量通以电流I，用毫伏表测量C、C/间的电压U，就可测得B．若已知其霍尔系数k＝
＝10 mV/mA·T．并测得U＝0.6 mV，I＝3 mA．试求该元件所在处的磁感应强度B的大小．
当电流垂直于外磁场通过导体时，在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差，这一现象便是霍尔效应，这个电势差也被叫做霍尔电压。科学技术中常常利用霍尔效应测定磁场的磁感应强度。如图11所示为一金属导体，规格已在图中标出，若已知通过导体的电流为I，电压表示数为U，电子的电荷量为e，则被测匀强磁场（磁场方向垂直于前后表面）的磁感应强度大小为（已知电流的微观表达式为I=nsvq，其中n为导体单位体积内的自由电荷数，s为导体的截面积，v为电荷定向移动的速率，q为电荷的带电量）（ ）
A.
B.
C.
D.
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根据经典理论，金属导体中电流的微观表达式为I＝nvSe，其中n为金属导体中每单位体积内的自由电子数，v为导体中自由电子沿导体定向移动的速率，S为导体的横截面积，e为自由电子的电荷量．如图11所示，两段长度和材料完全相同、各自粗细均匀的金属导线ab、bc，圆横截面的半径之比为rab∶rbc＝1∶4，串联后加上电压U，则 ( )
| A．两导线内的自由电子定向移动的速率之比为vab∶vbc＝1∶4 |
| B．两导线内的自由电子定向移动的速率之比为vab∶vbc＝4∶1 |
| C．两导线的电功率之比为Pab∶Pbc＝4∶1 |
| D．两导线的电功率之比为Pab∶Pbc＝16∶1 |