摘要：D．导体棒受到的安培力的大小为5如图甲所示.在空间存在一个变化的电场和一个变化的磁场.电场的方向水平向右.场强大小随时间变化情况如图14乙所示,磁感应强度方向垂直于纸面.大小随时间变化情况如图14丙所示.在t=1s时.从A点沿AB方向以初速度v0射出第一个粒子.并在此之后.每隔2s有一个相同的粒子沿AB方向均以初速度v0射出.并恰好均能击中C点.若AB＝BC=l.且粒子由A运动到C的运动时间小于1s.不计空气阻力.对于各粒子由A运动到C的过程中.以下说法正确的是
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导体框架abcd构成的平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与导体轨道ad、bc接触良好而且相互垂直．轨道ad、bc平行，间距为L．abQp回路的面积为S，总电阻为R且保持不变．匀强磁场方向垂直框架平面斜向上，其变化规律如图乙所示．导体棒PQ始终处于静止状态，图乙中为0己知量，B0足够大，则（ ） 
导体框架abcd构成的平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与导体轨道ad、bc接触良好而且相互垂直．轨道ad、bc平行，间距为L．abQp回路的面积为S，总电阻为R且保持不变．匀强磁场方向垂直框架平面斜向上，其变化规律如图乙所示．导体棒PQ始终处于静止状态，图乙中为0己知量，B0足够大，则（ ）
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| A．产生感应电流时，导体棒ab中的电流方向为由P到Q | ||
| B．产生感应电流时，感应电流为恒定电流 | ||
| C．产生感应电流时，导体棒受到的安培力为恒力 | ||
D．PQ恰好不受摩擦力时，磁感应强度的大小为
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导体框架abcd构成的平面与水平面成
角，质量为m的导体棒PQ与导体轨道
、
接触良好而且相互垂直。轨道、平行，间距为L。
回路的面积为S，总电阻为R且保持不变。匀强磁场方向垂直框架平面斜向上，其变化规律如图乙所示。从
开始，导体棒PQ始终处于静止状态，图乙中为已知量，
足够大，则 （ ）
A．产生感应电流时，导体棒PQ中的电流方向为由P到Q
B．产生感应电流时，感应电流为恒定电流
C．产生感应电流时，导体棒PQ受到的安培力为恒力
D．PQ恰好不受摩擦力时，磁感应强度的大小为
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