摘要:9.下列说法中.正确的是( ) A.方程是等式. B.等式是方程. C.含有字母的等式是方程. D.不含字母的方程是等式. -1-
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下列说法:
①若一元二次方程
有一个根是
,则代数式
的值是
②若
,则
是一元二次方程
的一个根
③若
,则一元二次方程
有不相等的两个实数根
④当
取整数
或
时,关于
的一元二次方程
与
的解都是整数。
其中正确的有:
查看习题详情和答案>>
①若一元二次方程
②若
③若
④当
其中正确的有:
| A. | B. | C. | D. |
下列说法:
①若一元二次方程
有一个根是![]()
,则代数式
的值是![]()
②若
,则
是一元二次方程
的一个根
③若
,则一元二次方程
有不相等的两个实数根
④当
取整数
或
时,关于
的一元二次方程
与
的解都是整数。
其中正确的有:
| A. | B. | C. | D. |
下列说法:
①若一元二次方程
有一个根是
,则代数式
的值是
②若
,则
是一元二次方程
的一个根
③若
,则一元二次方程
有不相等的两个实数根
④当
取整数
或
时,关于
的一元二次方程
与
的解都是整数。
其中正确的有:
①若一元二次方程
②若
③若
④当
其中正确的有:
| A. | B. | C. | D. |
砷化镓属于第三代半导体,它能直接将电能转变为光能,砷化镓灯泡寿命是普通灯泡的100倍,而耗能只有其10%,推广砷化镓等发光二极管(LED)照明,是节能减排的有效举措,已知砷化镓的晶胞结构如右图。试回答下列问题

(1)下列说法正确的是 ▲ (选填序号)。
A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同 B.第一电离能:As>Ga
C.电负性:As>Ga D.砷和镓都属于p区元素
E.半导体GaP、SiC与砷化镓为等电子体
(2)砷化镓是将(CH3)3Ga和AsH3用MOCVD方法制备得到, 该反应在700℃进行,反应的方程式为: ▲ 。
AsH3空间形状为: ▲ (CH3)3Ga中镓原子杂化方式为: ▲ 。
(3)Ga的核外电子排布式为: ▲ 。
(4)AsH3沸点比NH3低,其原因是: ▲ 。 查看习题详情和答案>>
(1)下列说法正确的是 ▲ (选填序号)。
A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同 B.第一电离能:As>Ga
C.电负性:As>Ga D.砷和镓都属于p区元素
E.半导体GaP、SiC与砷化镓为等电子体
(2)砷化镓是将(CH3)3Ga和AsH3用MOCVD方法制备得到, 该反应在700℃进行,反应的方程式为: ▲ 。
AsH3空间形状为: ▲ (CH3)3Ga中镓原子杂化方式为: ▲ 。
(3)Ga的核外电子排布式为: ▲ 。
(4)AsH3沸点比NH3低,其原因是: ▲ 。 查看习题详情和答案>>