摘要：下列化合物中阳离子半径元素与阴离子半径比值最小的是 ( ) A．NaF B．MgI2 C.BaI2 D.KBr
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下列是部分短周期中第二、第三周期元素的原子半径及主要化合价．
回答下列问题：
（1）⑧在元素周期表中的位置是（周期、族） ．
（2）8个元素的最高价氧化物的水化物中，酸性最强的是 （填化学式）．
（3）①元素和⑥元素形成化合物的电子式是 ．
（4）写出④最高价氧化物对应水化物与①最高价氧化物对应水化物反应的离子方程式： ．
（5）比较半径大小Na+ O2-（填＞，=，＜=）
（6）下列叙述正确的是 （填字母）．
A．③、④处于不同周期
B．②的阳离子与⑧的阴离子的核外电子数相等
C．⑥在同主族元素中非金属性最强
D．⑤元素与⑦元素两者核电荷数之差是8
E．①与⑧形成的化合物具有两性．
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| 元素代号 | ① | ② | ③ | ④ | ⑤ | ⑥ | ⑦ | ⑧ |
| 原子半径（nm） | 0.186 | 0.160 | 0.152 | 0.143 | 0.110 | 0.099 | 0.075 | 0.074 |
| 主要化合价 | +1 | +2 | +1 | +3 | +5、-3 | +7、-1 | +5、-3 | -2 |
（1）⑧在元素周期表中的位置是（周期、族）
（2）8个元素的最高价氧化物的水化物中，酸性最强的是
（3）①元素和⑥元素形成化合物的电子式是
（4）写出④最高价氧化物对应水化物与①最高价氧化物对应水化物反应的离子方程式：
（5）比较半径大小Na+
（6）下列叙述正确的是
A．③、④处于不同周期
B．②的阳离子与⑧的阴离子的核外电子数相等
C．⑥在同主族元素中非金属性最强
D．⑤元素与⑦元素两者核电荷数之差是8
E．①与⑧形成的化合物具有两性．
（14分）元素单质及其化合物有广泛用途，请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题：
（1）按原子序数递增的顺序（稀有气体除外），以下说法正确的是 。
a．原子序数和离子半径均减小 b．金属性减弱，非金属性增强
c．氧化物对应的水合物碱性减弱，酸性增强 d．单质的熔点降低
（2）原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为 ，氧化性最弱的简单阳离子是 。
（3）已知：
| 化合物 | MgO | Al2O3 | MgCl2 | AlCl3 |
| 类型 | 离子化合物 | 离子化合物 | 离子化合物 | 共价化合物 |
| 熔点/℃ | 2800 | 2050 | 714 | 191 |
工业制镁时，电解MgCl2而不电解MgO的原因是 ；制铝时，电解Al2O3而不电解AlCl3的原因是 。
（4）晶体硅（熔点1410℃）是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下：
写出SiCl4的电子式： ；在上述由SiCl4制纯硅的反应中，测得每生成1.12kg纯硅需吸收akJ热量，写出该反应的热化学方程式： 。
（5）P2O5是非氧化性干燥剂，下列气体不能用浓硫酸干燥，可用P2O5干燥的是 。
a． NH3 b． HI c． SO2 d ． CO2
（6）KClO3可用于实验室制O2，若不加催化剂，400℃时分解只生成两种盐，其中一种是无氧酸盐，另一种盐的阴阳离子个数比为1:1。写出该反应的化学方程式： 。 查看习题详情和答案>>
（14分）元素单质及其化合物有广泛用途，请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题：
（1）按原子序数递增的顺序（稀有气体除外），以下说法正确的是 。
a．原子序数和离子半径均减小 b．金属性减弱，非金属性增强
c．氧化物对应的水合物碱性减弱，酸性增强 d．单质的熔点降低
（2）原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为 ，氧化性最弱的简单阳离子是 。
（3）已知：
工业制镁时，电解MgCl2而不电解MgO的原因是 ；制铝时，电解Al2O3而不电解AlCl3的原因是 。
（4）晶体硅（熔点1410℃）是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下：
写出SiCl4的电子式： ；在上述由SiCl4制纯硅的反应中，测得每生成1.12kg纯硅需吸收akJ热量，写出该反应的热化学方程式： 。
（5）P2O5是非氧化性干燥剂，下列气体不能用浓硫酸干燥，可用P2O5干燥的是 。
a． NH3 b． HI c． SO2 d ． CO2
（6）KClO3可用于实验室制O2，若不加催化剂，400℃时分解只生成两种盐，其中一种是无氧酸盐，另一种盐的阴阳离子个数比为1:1。写出该反应的化学方程式： 。
（1）按原子序数递增的顺序（稀有气体除外），以下说法正确的是 。
a．原子序数和离子半径均减小 b．金属性减弱，非金属性增强
c．氧化物对应的水合物碱性减弱，酸性增强 d．单质的熔点降低
（2）原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为 ，氧化性最弱的简单阳离子是 。
（3）已知：
| 化合物 | MgO | Al2O3 | MgCl2 | AlCl3 |
| 类型 | 离子化合物 | 离子化合物 | 离子化合物 | 共价化合物 |
| 熔点/℃ | 2800 | 2050 | 714 | 191 |
工业制镁时，电解MgCl2而不电解MgO的原因是 ；制铝时，电解Al2O3而不电解AlCl3的原因是 。
（4）晶体硅（熔点1410℃）是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下：
写出SiCl4的电子式： ；在上述由SiCl4制纯硅的反应中，测得每生成1.12kg纯硅需吸收akJ热量，写出该反应的热化学方程式： 。
（5）P2O5是非氧化性干燥剂，下列气体不能用浓硫酸干燥，可用P2O5干燥的是 。
a． NH3 b． HI c． SO2 d ． CO2
（6）KClO3可用于实验室制O2，若不加催化剂，400℃时分解只生成两种盐，其中一种是无氧酸盐，另一种盐的阴阳离子个数比为1:1。写出该反应的化学方程式： 。
