摘要：24．如图所示.竖直放置的P.Q平行金属板间存在着水平向右的匀强电场. PQ间距L.Q板正中有一水平小孔S正对着右侧正方形屏上的O点.O点位于屏的正中央.屏的边长大小为a.以O点为坐标原点建立如图直角坐标系.x轴水平.y轴竖直.Q板与屏间距为.Q板与屏间存在竖直向上的匀强电场E1和匀强磁场B.一个带正电的可视为质点的微粒从紧贴P板右侧的A点以某一初速度向上竖直射出.恰好从小孔水平进入Q右侧区域.并做匀速圆周运动.最终打在屏上的C点.已知微粒质量为m.带电量为q.磁感应强度大小为B.P.Q板间电场强度大小为E.屏的边长为a.C点的坐标为(.0).重力加速度为g.不考虑微粒电荷对电场和磁场的影响.求: (1)板Q右侧的电场强度E1为多大? (2)P.Q板间距L的大小? (3)改变磁感应强度的大小和方向(磁场方向在垂直SO连线的平面内任意变化).从A处以同样初速发射同样微粒.要使所有微粒都打不到屏上.磁感应强度的大小应该满足什么条件?
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如图所示，竖直放置的P、Q两平行板间存在着水平向右的匀强电场E1，P、Q间的距离为L1，Q板上有一水平小孔S正对右侧竖直屏上的O点，以O为坐标原点建立坐标系x轴水平、y轴竖直．Q板与屏之间距离为L2，Q板与屏之间存在竖直向上的匀强电场E2和沿+x方向的匀强磁场B．一个带正电的可视为质点的微粒从紧贴P板右侧的A点以某一初速度υ竖直向上射出，恰好从小孔S水平进入Q右侧区域，并做匀速圆周运动，最终打在屏上的C处．已知微粒电量和质量的比值| q |
| m |
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（1）匀强电场的场强E2的大小；
（2）从小孔S进入Q右侧区域时的水平速度大小υS；
（3）P、Q间的距离L1；
（4）微粒运动的总时间t．
如图所示，竖直放置的P、Q两平行板间存在着水平向右的匀强电场E1，P、Q间的距离为L1，Q板上有一水平小孔S正对右侧竖直屏上的O点，以O为坐标原点建立 坐标系x轴水平、y轴竖直）．Q板与屏之间距离为L2，Q板与屏之间存在竖直向上的匀 强电场E2和匀强磁场B．一个带正电的可视为质点的微粒从紧贴P板右侧的A点以某一初速度v竖直向上射出，恰好从小孔S水平进入Q右侧区域，并作匀速圆周运动，最终打在屏上的C处．已知微粒电量和质量的比值| q |
| m |
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（1）匀强电场E2的大小；
（2）P、Q间的距离L1的大小；
（3）微粒运动的总时问．
如图所示，竖直放置的P、Q两平行板间存在着水平向右的匀强电场E1，P、Q间的距离为L1，Q板上有一水平小孔S正对右侧竖直屏上的O点，以O为坐标原点建立坐标系x轴水平、y轴竖直．Q板与屏之间距离为L2，Q板与屏之间存在竖直向上的匀强电场E2和沿+x方向的匀强磁场B．一个带正电的可视为质点的微粒从紧贴P板右侧的A点以某一初速度υ竖直向上射出，恰好从小孔S水平进入Q右侧区域，并做匀速圆周运动，最终打在屏上的C处．已知微粒电量和质量的比值
=25C/kg，初速度υ=4m/s，磁感应强度B=0.1T，Q板与屏之间距离L2=0.2m，屏上C点的坐标为（0，-
m）．不考虑微粒对电场和磁场的影响，取g=10m/s2．求：
（1）匀强电场的场强E2的大小；
（2）从小孔S进入Q右侧区域时的水平速度大小υS；
（3）P、Q间的距离L1；
（4）微粒运动的总时间t．
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=25C/kg，初速度υ=4m/s，磁感应强度B=0.1T，Q板与屏之间距离L2=0.2m，屏上C点的坐标为（0，-m）．不考虑微粒对电场和磁场的影响，取g=10m/s2．求：（1）匀强电场的场强E2的大小；
（2）从小孔S进入Q右侧区域时的水平速度大小υS；
（3）P、Q间的距离L1；
（4）微粒运动的总时间t．
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如图所示，竖直放置的两个平行金属板间有匀强电场，在两板之间等高处有两个质量相同的带电小球（不计两带电小球之间的电场影响），P小球从紧靠左极板处由静止开始释放，Q小球从两极板正中央由静止开始释放，两小球沿直线运动都打到右极板上的同一点，则从开始释放到打到右极板的过程中（ ）| A、它们的运动时间的关系为tP＞tQ | B、它们的电荷量之比为qP：qQ=2：1 | C、它们的动能增量之比为△EkP：△EkQ=2：1 | D、它们的电势能减少量之比为△EP：△EQ=2：1 |
