8．纳米技术是跨世纪的新技术，将激光束的宽度集中到纳米范围内，可修复人体已损坏的器官，对DNA分子进行超微型基因修复，把诸如癌症等彻底根除．在上述技术中，人们主要利用了激光的（ ）
| A． | 单色性 | B． | 单向性 | C． | 亮度高 | D． | 粒子性 |
7．国家836计划中的一个重点项目中所研究的X光激光（频率范围很窄的高强度X射线）有着广泛的应用前景，用X光激光给细胞“照相”，以下激光的哪些特点属于次要因素（ ）
| A． | 杀菌作用 | B． | 化学作用 | C． | 波长短 | D． | 能量高 |
6．
如图所示，长为L、倾角为θ的光滑斜面处于水平向右的匀强电场中．一电荷量为+q、质量为m的小球，以初速度v0由斜面底端的M点沿斜面向上滑，到达斜面底端N的速度仍为v0，则（ ）
如图所示，长为L、倾角为θ的光滑斜面处于水平向右的匀强电场中．一电荷量为+q、质量为m的小球，以初速度v0由斜面底端的M点沿斜面向上滑，到达斜面底端N的速度仍为v0，则（ ）| A． | 小球在N点的电势能小于在M点的电势能 | |
| B． | M、N两点的电势差为$\frac{mgL}{q}$ | |
| C． | 电场强度等于$\frac{mgtanθ}{q}$ | |
| D． | 小球不一定是做匀速直线运动 |
4．
K-介子衰变的方程为K-→π-+π0，其中K-介子和π-介子带负的元电荷e，π0介子不带电．如图所示，两匀强磁场方向相同，以虚线MN为理想边界，磁感应强度分别为B1、B2．今有一个K-介子沿垂直于磁场的方向射入匀强磁场B1中，其轨迹为圆弧AP，P在MN上，K-在P点时的速度为v，方向与MN垂直．在P点该介子发生了上述衰变．衰变后产生的π-介子沿v反方向射出，其运动轨迹为如图虚线所示的“心”形图线．则以下说法正确的是（ ）
K-介子衰变的方程为K-→π-+π0，其中K-介子和π-介子带负的元电荷e，π0介子不带电．如图所示，两匀强磁场方向相同，以虚线MN为理想边界，磁感应强度分别为B1、B2．今有一个K-介子沿垂直于磁场的方向射入匀强磁场B1中，其轨迹为圆弧AP，P在MN上，K-在P点时的速度为v，方向与MN垂直．在P点该介子发生了上述衰变．衰变后产生的π-介子沿v反方向射出，其运动轨迹为如图虚线所示的“心”形图线．则以下说法正确的是（ ）| A． | π-介子的运行轨迹为PENCMDP | |
| B． | π-介子运行一周回到P用时为$T=\frac{2πm}{{{B_2}e}}$ | |
| C． | B1=4B2 | |
| D． | π0介子作匀速直线运动 |
3．下列说法中，正确的是（ ）
| A． | 同一等势面上的各点电势相等，电场强度也相等 | |
| B． | 电场中的两条电场线一定不会相交，但两个电势不等的等势面有可能相交 | |
| C． | 在同一等势面上移动电荷，电场力一定不做功 | |
| D． | 离孤立带电导体越近的等势面，其形状越与导体表面相似；离孤立带电导体越远的等势面，其形状越接近于球面 |
2．如图所示，电源的电动势和内阻都保持一定，在外电路的电阻逐渐减小的过程中，有（ ）
| A． | 电源的路端电压一定逐渐变小 | B． | 电源的输出功率一定逐渐变小 | ||
| C． | 电源内部消耗的功率一定逐渐变大 | D． | 电源供电效率可能变大 |
1．下列说法中正确的是（ ）
| A． | 实际的自由振动必然是阻尼振动 | |
| B． | 在外力作用下的振动是受迫振动 | |
| C． | 阻尼振动的振幅越来越小 | |
| D． | 受迫振动稳定后的频率与自身物理条件无关 |
19．将一点电荷由电场中的A点移到B点电场力对点电荷做的功为零，则对A、B两点的电势差U的大小的判断中正确是（ ）
0 132395 132403 132409 132413 132419 132421 132425 132431 132433 132439 132445 132449 132451 132455 132461 132463 132469 132473 132475 132479 132481 132485 132487 132489 132490 132491 132493 132494 132495 132497 132499 132503 132505 132509 132511 132515 132521 132523 132529 132533 132535 132539 132545 132551 132553 132559 132563 132565 132571 132575 132581 132589 176998
| A． | U＜0 | B． | U＞0 | C． | U=0 | D． | 无法判断 |