题目内容

粒子扩束装置如图甲所示,由粒子源、加速电场、偏转电场和偏转磁场组成.粒子源A产生相同的带正电粒子(粒子质量为m,电荷量为q,其所受重力不计)由静止开始,经加速电场加速后,连续不断地沿平行于导体板的方向从两极板正中央射入偏转电场.偏转电场的极板间距为d,偏转电场的电压如图乙所示(已知偏转电场的周期为T,偏转电场的电压最大值U2=
md2
qT2
),加速电场的电压为U1=
2md2
3qT2
.偏转磁场水平宽度为L2=
3
d
、竖直长度足够大,磁场右边界为竖直放置的荧光屏,磁场方向垂直纸面向外.已知粒子通过偏转电场的时间为T.不考虑粒子间相互作用.求:
(1)偏转电场的极板长度L1
(2)粒子射出偏转电场的最大侧移量)ymax
(3)求磁感应强度B为多少时,粒子能打到荧光屏上尽可能低的位置,求最低位置离中心点O的距离h.精英家教网
分析:(1)粒子经加速电场加速后,在偏转电场中做类平抛运动,根据类平抛运动知识,已知在偏转电场中的运动时间可以求出偏转电场的极板长度L1
(2)粒子进入偏转电场时,若有偏转电压则粒子在电场方向上先做匀加速直线运动,在偏转电压为0时粒子将保持电场方向上的速度做匀速直线运动,当粒子一进入偏转电场时偏转电压为0,则在电场方向先做匀速运动,当偏转电压不为0时开始做匀加速直线运动,由此可以判断粒子何时进入电场偏转位移最大,何时进入电场偏转位移最小.
(3)作出粒子在磁场中的临界运动轨迹,知道什么情况下粒子进入磁场打到屏上的位置尽可能低,并根据几何关系求解半径关系和最低点离O点的距离h.
解答:解:(1)粒子加速后进入偏转电场的速度为v0,则由动能定理有:
qU1=
1
2
m
v
2
0

可得:v0=
2qU1
m
=
2q
m
×
2md2
3qT2
=
2
3
d
3T

又因为粒子在水平方向做匀速直线运动,故有:
L1=v0t
得:L1=
2
3
d
3T
×T=
2
3
3
d

(2)粒子进入偏转电场后,有偏转电压时做电场方向做匀加速直线运动,没有偏转电压时保持原有运动,要使粒子射出电场时有最大侧位移,则需在t=nT(n=0,1,2,3…)时进入偏转电场,此时粒子先做
2T
3
的匀加速直线运动,在电场方向再以最大速度做
T
3
的匀速直线运动.
在偏转电场中的加速度a=
qE
m
=
q
U2
d
m
=
qU2
md
=
q
md
×
md2
qT2
=
d
T2

粒子在前
2T
3
的侧向位移y1=
1
2
at2=
1
2
×
d
T2
×(
2T
3
)2
=
2
9
d

此时粒子的侧向速度为:vy=at=
d
T2
×
2T
3
=
2d
3T

所以在后
T
3
时间内粒子侧向做匀速直线运动的位移
y2=vy×
T
3
=
2d
3T
×
T
3
=
2
9
d

所以粒子射出偏转电场的最大侧位移
ymax=y1+y2=
4
9
d

(3)根据左手定则.粒子进入磁场后向下偏转,粒子在t=(n+
2
3
)T(n=0,1,2,3…)时射入偏转电场时侧位移最小
最小侧位移为:ymin=
1
2
at2=
1
2
×
d
T2
×(
2T
3
)2=
2
9
d

设粒子在射出电场时的偏转角为θ
则有:tanθ=
vy
v0
=
a
2T
3
v0
=
d
T2
×
2T
3
2
3
d
3T
=
3
3

即θ=30°
如图:
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根据粒子运动轨迹知,只有侧位移最小的粒子磁场中做圆周运动与荧光屏相切时,打到荧光屏的位置最低.
如图可知,粒子进入磁场中的速度v=
vy
sinθ
=
a
2T
3
sin30°
=
d
T2
×
2T
3
1
2
=
4d
3T

洛伦兹力提供向心力有:
qvB=
mv2
R

由图示几何关系有:R(1+sinθ)=L2=
3
d

∴B=
mv
qR
=
m
4d
3T
q
3
d
1+sin30°
=
2
3
md
3qT

最低位置为轨迹与屏的切点,即h=Rcosθ-ymin=
3
d
1+sinθ
cosθ-
2d
9
=
7
9
d


答:(1)偏转电场的极板长度L1=
2
3
3
d

(2)粒子射出偏转电场的最大侧移量ymax=
4
9
d

(3)当磁感应强度B为
2
3
md
3qT
时粒子能打到荧光屏上尽可能低的位置,最低位置离中心点O的距离h=
7
9
d
点评:本题的难点是分析带电粒子的运动情况,电荷在电场中的偏转做类平抛运动,关键是运动的合成与分解;电荷在匀强磁场中做匀速圆周运动,关键是画出轨迹,由几何知识求出半径.
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