题目内容
13.| A. | Fs | B. | $\frac{mgssinθ}{2}$ | C. | mgscosθ | D. | mgstanθ |
分析 m与楔形物体相对静止,二者必定都向左加速运动.即m的合外力方向水平向左,画出m的受力图,求出楔形物体对小物体的作用力,根据功的公式即可求解.
解答
解:m与楔形物体相对静止,二者必定都向左加速运动.即m的合外力方向水平向
画出m的受力图,
根据几何关系得
N=$\frac{mg}{cosθ}$
所以支持力做的功为:W=Nssinθ=mgstanθ
故选:D.
点评 本题主要考查了恒力做功公式的应用,要求同学们能正确对物体进行受力分析,并掌握功的公式的正确应用.
练习册系列答案
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1.1924年,德布罗意提出了物质波理论,他大胆地把光的波粒二象性推广到实物粒子(如电子、质子等),他认为粒子的动量p与波的波长λ之间遵从关系:λ=$\frac{h}{p}$(h为普朗克常量),这一假说后来在一系列实验中得到了证实.如图甲所示,在电子双缝干涉实验中,将电子垂直射向两个紧靠的平行狭缝(电子发射端到两狭缝距离相等),在缝后放上一个安装有电子探测器的屏幕(屏幕上的0点位于两狭缝中心对称轴的正后方,图中未画出),电子打到探侧器上会在屏幕上出现亮点,在实验中,以速度v0发射电子,开始时,屏幕上出现没有规律的亮点,但是当大量的电子到达探测器之后,发现屏幕上不同位置出现亮点的概率并不相同,且沿垂直双缝方向呈现出间隔分布,如图乙所示.这种间隔分布类似于光的干涉中出现的明暗相间的条纹.则下列说法正确的是( )

| A. | 以速度2v0发射电子,重复试验,O点可能处在暗纹上 | |
| B. | 以速度2v0发射电子,重复试验,所形成的条纹间距会变小 | |
| C. | 若将两个狭缝沿垂直缝的方向移动一段很小的距离(不改变狭缝和屏幕间的距离)重复试验,如果屏幕上仍有间隔的条纹分别,则O点一定处在暗条纹上 | |
| D. | 若将两个狭缝沿垂直缝的方向移动一段很小的距离(不改变狭缝和屏幕间的距离)重复试验,如果屏幕上仍有间隔的条纹分别,则O点一定处在明条纹上 |
18.关于物体的内能,以下说法正确的是( )
| A. | 箱子运动的速度减小,其内能也减小 | |
| B. | 篮球的容积不变,内部气体的温度降低,其气体的内能将减小 | |
| C. | 物体的温度和体积均发生变化,其内能将一定变化 | |
| D. | 对于一些特殊的物体,可以没有内能 |
3.
利用霍尔效应制作的霍尔元件以及传感器,广泛应用于测量和自动控制等领域.图中一块长为a、宽为b、厚为c的半导体样品薄片放在沿y轴正方向的匀强磁场中,磁感应强度大小为B.当有大小为I、沿x轴正方向的恒定电流通过样品板时,会在与z轴垂直的两个侧面之间产生电势差,这一现象称为霍尔效应.其原因是薄片中的移动电荷受洛伦兹力的作用向一侧偏转和积累,于是上、下表面间建立起电场EH,同时产生霍尔电势差UH.当电荷所受的电场力与洛伦兹力处处相等时,EH和UH达到稳定值,UH的大小与I和B满足关系UH=kHIB,其中kH称为霍尔元件灵敏度.已知此半导体材料是电子导电,薄片内单位体积中导电的电子数为n,电子的电荷量为e.下列说法中正确的是( )
| A. | 半导体样品的上表面电势高于下表面电势 | |
| B. | 霍尔元件灵敏度与半导体样品薄片的长度a、宽度b均无关 | |
| C. | 在其他条件不变时,单位体积中导电的电子数n越大,霍尔元件灵敏度越高 | |
| D. | 在其他条件不变时,沿磁场方向半导体薄片的厚度c越大,霍尔元件灵敏度越高 |
4.关于匀速圆周运动的向心力,下列说法不正确的是( )
| A. | 向心力是指向圆心方向的合力,是根据力的作用效果命名的 | |
| B. | 对稳定的圆周运动,向心力是一个恒力 | |
| C. | 向心力可以是多个力的合力,也可以是其中一个力或一个力的分力 | |
| D. | 向心力的效果是改变质点的线速度方向 |