题目内容
有一个正方体形的匀强磁场和匀强电场区域,它的截面为边长L=0.20m的正方形,其电场强度为E=4.0×105V/m,磁感应强度B=2.0×10-2T,磁场方向水平且垂直纸面向里,当一束质荷比为
=4.0×10-10kg/C的正离子流(其重力不计)以一定的速度从电磁场的正方体区域的左侧边界中点射入,如图所示.(计算结果保留两位有效数字)
(1)要使离子流穿过电场和磁场区域而不发生偏转,电场强度的方向如何?离子流的速度多大?
(2)在(1)的情况下,在离电场和磁场区域右边界D=0.40m处有与边界平行的平直荧光屏.若只撤去电场,离子流击中屏上a点;若只撤去磁场,离子流击中屏上b点.求ab间距离.(a,b两点图中未画出)
| m |
| q |
(1)要使离子流穿过电场和磁场区域而不发生偏转,电场强度的方向如何?离子流的速度多大?
(2)在(1)的情况下,在离电场和磁场区域右边界D=0.40m处有与边界平行的平直荧光屏.若只撤去电场,离子流击中屏上a点;若只撤去磁场,离子流击中屏上b点.求ab间距离.(a,b两点图中未画出)
(1)电场方向竖直向下,与磁场构成粒子速度选择器,离子运动不偏转
则qE=qBv
离子流的速度为v=
=2×107m/s
(2)撤去电场,离子在磁场中做匀速圆周运动,所需向心力由洛伦兹力提供,于是
qBv=m
则R=
=0.4m
离子离开磁场区边界时,偏转角为θ
则sinθ=
=
即θ=30°
如答图1所示

偏离距离y1=R-Rcosθ=0.054m
离开磁场后离子做匀速直线运动
总的偏离距离为y=y1+Dtanθ=0.28m
若撤去磁场,离子在电场中做匀变速曲线运动
通过电场的时间t=
加速度a=
偏转角为θ′,如答图2所示

则tanθ′=
=
=
偏离距离为
y2=
at2=0.05m离开电场后离子做匀速直线运动
总的偏离距离y′=y2+Dtanθ′=0.25m
所以,a、b间的距离ab=y+y′=0.53m
则qE=qBv
离子流的速度为v=
| E |
| B |
(2)撤去电场,离子在磁场中做匀速圆周运动,所需向心力由洛伦兹力提供,于是
qBv=m
| v2 |
| R |
则R=
| mv |
| qB |
离子离开磁场区边界时,偏转角为θ
则sinθ=
| L |
| R |
| 1 |
| 2 |
即θ=30°
如答图1所示
偏离距离y1=R-Rcosθ=0.054m
离开磁场后离子做匀速直线运动
总的偏离距离为y=y1+Dtanθ=0.28m
若撤去磁场,离子在电场中做匀变速曲线运动
通过电场的时间t=
| L |
| v |
加速度a=
| qE |
| m |
偏转角为θ′,如答图2所示
则tanθ′=
| vy |
| v |
| qEL |
| mv2 |
| 1 |
| 2 |
偏离距离为
y2=
| 1 |
| 2 |
总的偏离距离y′=y2+Dtanθ′=0.25m
所以,a、b间的距离ab=y+y′=0.53m
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