题目内容
12.一质点在Oxy平面内做曲线运动,已知ax=2,ay=12t2(单位:m•s-2).设质点在t=0时,r0=0,v0=0.求质点的:(1)运动方程;
(2)轨迹方程;
(3)切向加速度.
分析 (1)已知运动的加速度、初速度,分别写出沿两个方向的方程即可.
(2)将两个方程中的参量t约掉,得到轨迹方程;
(3)由矢量的合成可知,切向加速度为两个分方向的加速度的矢量合,由此即可求出.
解答 解:(1)由于在t=0时,r0=0,v0=0.可知物体开始时位于坐标原点,初速度等于0;
x方向:vx=axt=2tm/s,$x=\frac{1}{2}{a}_{x}{t}^{2}={t}^{2}$m
y方向:${v}_{y}={a}_{y}t=12{t}^{3}$m/s,y=$\frac{1}{2}{a}_{y}{t}^{2}=6{t}^{4}$m
(2)其轨迹方程:y=6t4=6(t2)2=6x2m
可知其轨迹方程为抛物线方程
(3)切向加速度为两个分方向的加速度的矢量合,即:a=$\sqrt{{a}_{x}^{2}+{a}_{y}^{2}}$
联立可得:a=$2\sqrt{1+36{t}^{4}}$m/s2
答:(1)运动方程为:x方向:vx=axt=2tm/s,$x=\frac{1}{2}{a}_{x}{t}^{2}={t}^{2}$m
y方向:${v}_{y}={a}_{y}t=12{t}^{3}$m/s,y=$\frac{1}{2}{a}_{y}{t}^{2}=6{t}^{4}$m;
(2)轨迹方程为y=6x2;
(3)切向加速度为$2\sqrt{1+36{t}^{4}}$m/s2.
点评 该题属于竞赛题目,解答的关键是正确理解参数方程的物理意义,能结合参数方程分析质点的运动是解答的关键.
练习册系列答案
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3.
如图所示,A是地球的同步卫星,B是与A在同一平面内且离地高度为地球半径R的另一卫星,地球视为均匀球体且自转周期为T,地球表面的重力加速度为g,O为地球的球心,则( )
| A. | 卫星B的运动速度vB=$\sqrt{\frac{gR}{2}}$ | |
| B. | 卫星B的周期TB=2π$\sqrt{\frac{2R}{g}}$ | |
| C. | A的轨道半径r=$\root{3}{\frac{{g}^{2}{R}^{2}{T}^{2}}{4{π}^{2}}}$ | |
| D. | 每经过时间$\frac{4πT\sqrt{2R}}{T\sqrt{g}-4π\sqrt{2R}}$A与B之间的距离再次最小 |
17.下列说法正确的是( )
| A. | ${\;}_{90}^{232}$Th经过6次α衰变和4次β衰变后成为稳定的原子核${\;}_{82}^{208}$Pb | |
| B. | 在核反应堆中,为使快中子减速,在铀棒周围要放“慢化剂”,常用的慢化剂有石墨、重水和普通水 | |
| C. | 当用蓝色光照射某金属表面时有电子逸出,则改用红光照射也一定会有电子逸出 | |
| D. | 将由放射性元素组成的化合物进行高温分解,会改变该放射性元素的半衰期 |
1.霍尔效应是电磁现象之一,近期我国科学家在该领域的实验研究上取得了突破性进展.如图甲所示,在一矩形半导体薄片的P、Q间通入电流强度为I的电流,同时外加与薄片垂直的磁感应强度为B的磁场,则在M、N间出现大小为UH的电压,这个现象称为霍尔效应,UH称为霍尔电压,且满足UH=k$\frac{IB}{d}$,式中d为薄片的厚度,k为霍尔系数.某同学通过实验来测定该半导体薄片的霍尔系数.
(1)若该半导体材料是空穴(可视为带正电粒子)导电,电流与磁场方向如图甲所示,该同学用电压表测量UH时,应将电压表的“+”接线柱与M(选填“M”或“N”)端通过导线相连.
(2)该同学查阅资料发现,使半导体薄片中的电流反向再次测量,取两个方向测量的平均值,可以减小霍尔系数的测量误差,为此该同学设计了如图乙所示的测量电路,S1、S2均为单刀双掷开关,虚线框内为半导体薄片(未画出).为使电流从Q端流入,P端流出,应将S1掷向b(选填“a”或“b”),S2掷向c(选填“c”或“d”).
(3)已知薄片厚度d=0.40mm,该同学保持磁感应强度B=0.10T不变,改变电流I的大小,测量相应的UH值,记录数据如下表所示.
根据表中数据在给定区域内(见答题卡)画出UH-I图线,请利用图线求出该材料的霍尔系数为1.5×10-3V•m•A-1•T-1(保留2位有效数字).
(1)若该半导体材料是空穴(可视为带正电粒子)导电,电流与磁场方向如图甲所示,该同学用电压表测量UH时,应将电压表的“+”接线柱与M(选填“M”或“N”)端通过导线相连.
(2)该同学查阅资料发现,使半导体薄片中的电流反向再次测量,取两个方向测量的平均值,可以减小霍尔系数的测量误差,为此该同学设计了如图乙所示的测量电路,S1、S2均为单刀双掷开关,虚线框内为半导体薄片(未画出).为使电流从Q端流入,P端流出,应将S1掷向b(选填“a”或“b”),S2掷向c(选填“c”或“d”).
(3)已知薄片厚度d=0.40mm,该同学保持磁感应强度B=0.10T不变,改变电流I的大小,测量相应的UH值,记录数据如下表所示.
| I(×10-3A) | 3.0 | 6.0 | 9.0 | 12.0 | 15.0 | 18.0 |
| UH(×10-3V) | 1.1 | 1.9 | 3.4 | 4.5 | 6.2 | 6.8 |
2.处于平直轨道上的甲、乙两物体相距s,乙在甲前且两物体同时、同向开始运动,甲以初速度v、加速度a1做匀加速直线运动,乙做初速度为零,加速度为a2的匀加速直线运动,假设甲能从乙旁边通过,下述情况不可能发生的是( )
| A. | a1=a2时,有可能相遇两次 | B. | a1>a2时,只能相遇一次 | ||
| C. | a1<a2时,有可能相遇两次 | D. | a1<a2时,有可能相遇一次 |