题目内容
9.金属材料的电阻率通常随温度的升高而增大,半导体材料的电阻率随温度的升高而减少.某同学需要研究某种导电材料的导电规律,他用该种导电材料制作成电阻较小的线状元件Z,并测量元件Z中的电流随两端电压从零逐渐增大过程中的变化规律.(1)他应选用图1所示的A电路进行实验
(2)实验测得元件Z的电压与电流的关系如表所示.根据表中数据,判断元件Z是半导体材料 (填“金属材料”或“半导体材料”).
| U/V[ | 0 | 0.40 | 0.60 | 0.80 | 1.00 | 1.20 | 1.50 | 1.60 |
| I/A | 0 | 0.20 | 0.45 | 0.80 | 1.25 | 1.80 | 2.81 | 3.20 |
(4)把元件Z接入如图2所示的电路中,当电阻R的阻值为R1=2Ω时,电流表的读数为1.25A;当电阻R的阻值为R2=3.6Ω时,电流表的读数为0.80A,不计电流表的内阻.结合如表数据,求出电池的电动势为4.0V,内阻为0.4Ω.
分析 (1)伏安法测电阻,电压从零开始变化,滑动变阻器应采用分压接法;待测电阻阻值很小,电压表内阻远大于待测电阻阻值,电流表应采用外接法,分析图示电路,选出实验所需电路.
(2)元件两端电压越大,通过元件的电流越大,由P=UI可知元件实际功率越大,元件温度越高;根据表中实验数据,应用欧姆定律判断随电压增大,温度越高时元件电阻如何变化,然后判断元件的种类.
(3)螺旋测微器固定刻度与可动刻度示数之和是螺旋测微器的示数,由图示螺旋测微器可以读出元件的直径.
(4)由表中实验数据找出个电流所对应的电压值,然后根据闭合电路欧姆定律列方程,然后求出电源电动势与内阻.
解答 解:(1)电压从零开始变化,滑动变阻器应采用分压接法;待测电阻阻值很小,电压表内阻远大于待测电阻阻值,电流表应采用外接法,由图1所示电路图可知,实验应采用A所示电路.
(2)由表中实验数据可知,随元件电压增大,通过元件的电流增大,元件的实际功率增大,元件温度升高;由欧姆定律可知,随元件两端电压增大,元件电阻减小,因此元件是半导体材料.
(3)由图2所示螺旋测微器可知,固定刻度示数为1.5mm,可动刻度示数为49.0×0.01mm=0.490mm,元件的直径为1.5mm+0.490mm=1.990mm(1.989~1.991均正确).
(4)由图3可知,元件Z与电阻R串联,电流表测电路电流,由表中实验数据可知,电流为1.25A时,元件两端电压为1.00V,电流为0.80A时,元件两端电压为0.80V,由闭合电路欧姆定律可得:E=I(R+r)+UV,
E=1.25×(2+r)+1.00,E=0.80×(3.6+r)+0.80,解得,电源电动势E=4.0V,内阻r=0.4Ω.
故答案为:(1)A;(2)半导体材料;(3)1.990;(4)4.0;0.4.
点评 本题考查了实验电路的选择、元件性质的判断、螺旋测微器读数、求电源电动势与内阻等问题;螺旋测微器固定刻度与可动刻度示数之和是其读数,螺旋测微器需要估读.
| A. | E1=E2 | |
| B. | E1=$\sqrt{3}$E2 | |
| C. | C、F两点电势相同 | |
| D. | 在C,D,F,G四个点中,电子在F点具有的电势能最大 |
| A. | 向上 | B. | 向下 | C. | 向左 | D. | 向右 |
| A. | 从n=4的能级直接跃迁到n=2的能级,辐射出可见光光子 | |
| B. | 从n=4的能级直接跃迁到n=1的能级,辐射出的光的波长最长 | |
| C. | 从n=4的能级跃迁到n=3的能级时,辐射出的光的频率最高 | |
| D. | 从n=4的能级跃迁到低能级时,可能辐射出8种不同频率光子 |
| A. | 棋盘对棋子施加2个力的作用 | |
| B. | 磁力越大,棋子所受的摩擦力也越大 | |
| C. | 棋盘对棋子总的作用力等于棋子的重力 | |
| D. | 只要磁力足够大,即使棋盘光滑,棋子也能静止在棋盘上 |
| A. | t1时刻线圈中感应电动势最大 | |
| B. | t2时刻线圈中感应电流为零 | |
| C. | 匀强磁场的磁感应强度大小为$\frac{φ_0}{{N{a^2}}}$ | |
| D. | 线圈中瞬时感应电动势的表达式为e=2Nπφ0ncos2πnt |
| A. | 轻环所受摩擦力不变 | B. | 杆对轻环的作用力变大 | ||
| C. | 两环之间的最大距离为6cm | D. | 轻绳上的最大拉力为$\frac{5}{6}$Mg |
| A. | 质点M对平衡位置的位移一定为负值 | |
| B. | 质点M的速度方向与对平衡位置的位移方向相同 | |
| C. | 质点M的加速度方向与速度方向一定相同 | |
| D. | 质点M的加速度方向与对平衡位置的位移方向相反 |