题目内容
| 4 |
| 3 |
| 3 |
| q |
| m |
(1)a粒子在第四象限的磁场中运动时的轨道半径和粒子从S到达P孔的时间;
(2)除了通过准直管的a粒子外,为使其余a粒子都不能进入电场,平板OM的长度至少是多长?
(3)经过准直管进入电场中运动的a粒子,第一次到达y轴的位置与O点的距离;
(4)要使离开电场的a粒子能回到粒子源S处,磁感应强度B2应为多大?
分析:(1)由洛伦兹力提供向心力求出半径和运动周期,再根据转过的角度求解即运动时间;
(2)最长直径确定为SM,只要这个方向的粒子出不去,所有的粒子都不能进入电场,根据几何知识求解;
(3)由类平抛运动规律即可求出第一次到达y轴的位置与O点的距离;
(4)分两种情况讨论,一是直接打到S点,一是进入第四象限后由做圆周运动打到S点,分别求解即可.
(2)最长直径确定为SM,只要这个方向的粒子出不去,所有的粒子都不能进入电场,根据几何知识求解;
(3)由类平抛运动规律即可求出第一次到达y轴的位置与O点的距离;
(4)分两种情况讨论,一是直接打到S点,一是进入第四象限后由做圆周运动打到S点,分别求解即可.
解答:
解:(1)由qvB1=m
得:r=
=0.02 m
周期T=
粒子从S到达P孔的时间为:t=
T=
×10-7 s
(2)设平板的长度至少为L,粒子源距O点为h,粒子出来的最远距离是弦最长为直径时,由几何关系,有:L=
=
×10-2 m
(3)粒子进入电场后做类平抛运动,有
x轴方向位移:x=
at2 
y轴方向位移:y=vt
加速度:a=
=
×1011 m/s2
几何关系可得:x=r+
=0.03 m
所以,粒子到达y轴位置与o点的距离:y’=y+d=0.07m
(4)设粒子在y轴射出电场的位置到粒子源S的距离为H,有
:H=y+h=(7+
)×10-2m
设粒子在y轴射出电场的速度方向与y轴正方向夹角为θ,有:
Tanθ=
=1 θ=450
v′=
v 若粒子离开电场经B2磁场偏转后直接回到离子源S处,则在B2磁场中圆周运动半径:R=
=
×10-2m
由qv′B2=m
得:B2=
=
T
若粒子离开电场经B2磁场偏转后进入B1磁场偏转再回到离子源S处,则进入B1磁场的偏转半径:
R=
=
×10-2m
在B2磁场中圆周运动半径同理得:B2=
T
答:(1)a粒子在第四象限的磁场中运动时的轨道半径和粒子从S到达P孔的时间为
×10-7s;
(2)除了通过准直管的a粒子外,为使其余a粒子都不能进入电场,平板OM的长度至少是
×10-2m;
(3)经过准直管进入电场中运动的a粒子,第一次到达y轴的位置与O点的距离为0.07m;
(4)要使离开电场的a粒子能回到粒子源S处,磁感应强度B2应为
T.
| v2 |
| r |
得:r=
| mv |
| qB1 |
周期T=
| 2π r |
| v |
| 1 |
| 3 |
| 2π |
| 3 |
(2)设平板的长度至少为L,粒子源距O点为h,粒子出来的最远距离是弦最长为直径时,由几何关系,有:L=
| (2r)2-h2 |
| 13 |
(3)粒子进入电场后做类平抛运动,有
x轴方向位移:x=
| 1 |
| 2 |
y轴方向位移:y=vt
加速度:a=
| Eq |
| m |
| 20 |
| 3 |
几何关系可得:x=r+
| r2-h2 |
所以,粒子到达y轴位置与o点的距离:y’=y+d=0.07m
(4)设粒子在y轴射出电场的位置到粒子源S的距离为H,有
:H=y+h=(7+
| 3 |
设粒子在y轴射出电场的速度方向与y轴正方向夹角为θ,有:
Tanθ=
| at |
| v |
| 2 |
| H | ||
|
7+
| ||
|
由qv′B2=m
| v′2 |
| R |
| mv′ |
| qR |
| 0.8 | ||
7+
|
若粒子离开电场经B2磁场偏转后进入B1磁场偏转再回到离子源S处,则进入B1磁场的偏转半径:
R=
H+
| ||
|
11+
| ||
|
在B2磁场中圆周运动半径同理得:B2=
| 0.8 | ||
11+
|
答:(1)a粒子在第四象限的磁场中运动时的轨道半径和粒子从S到达P孔的时间为
| 2π |
| 3 |
(2)除了通过准直管的a粒子外,为使其余a粒子都不能进入电场,平板OM的长度至少是
| 13 |
(3)经过准直管进入电场中运动的a粒子,第一次到达y轴的位置与O点的距离为0.07m;
(4)要使离开电场的a粒子能回到粒子源S处,磁感应强度B2应为
| 0.8 | ||
11+
|
点评:此题考查带电粒子在几个电场和磁场中的运动情况,分阶段讨论,一定画好运动轨迹图,结合几何知识解答,还要注意第四问的两种情况,属于难题.
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