【题目】单晶硅是信息产业中重要的基础材料。通常用焦炭在高温下还原二氧化硅制得粗硅(含铁、铝、硼、磷等杂质),粗硅与氯气反应生成四氯化硅(反应温度450~500℃),四氯化硅经提纯后用氢气还原可得高纯硅。以下是实验室制备四氯化硅的装置示意图。

相关信息如下:
a.四氯化硅遇水极易水解;
b.硼、铝、铁、磷在高温下均能与氯气直接反应生成相应的氯化物;
c.有关物质的物理常数见下表:

物 质

SiCl4

BCl3

AlCl3

FeCl3

PCl5

沸点/℃

57.7

12.8

315

熔点/℃

-70.0

-107.2

升华温度/℃

180

300

162


请回答下列问题:
(1)写出装置A中发生反应的离子方程式
(2)装置A中g管的作用是;装置C中的试剂是;装置E中的h瓶需要冷却的理由是
(3)装置E中h瓶收集到的粗产物可通过精馏(类似多次蒸馏)得到高纯度四氯化硅,精馏后的残留物中,除铁元素外可能还含有的杂质元素是(填写元素符号)。
(4)为了分析残留物中铁元素的含量,先将残留物预处理,使铁元素还原成
Fe2 , 再用KMnO4标准溶液在酸性条件下进行氧化还原滴定,反应的离子方程式是:5Fe2+MnO4+8H=5Fe3+Mn2+4H2O
滴定前是否要滴加指示剂?(填“是”或“否”),请说明理由
②某同学称取5.000g残留物,经预处理后在容量瓶中配制成100mL溶液,移取25.00mL试样溶液,用1.000×102mol·L1KMnO4标准溶液滴定。达到滴定终点时,消耗标准溶液20.00mL,则残留物中铁元素的质量分数是

 0  185938  185946  185952  185956  185962  185964  185968  185974  185976  185982  185988  185992  185994  185998  186004  186006  186012  186016  186018  186022  186024  186028  186030  186032  186033  186034  186036  186037  186038  186040  186042  186046  186048  186052  186054  186058  186064  186066  186072  186076  186078  186082  186088  186094  186096  186102  186106  186108  186114  186118  186124  186132  203614 

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