氮化硅(Si3N4)是一种优良的高温结构陶瓷,在工业生产和科技领域有重要用途。
Ⅰ工业上有多种方法来制备氮化硅,常见的方法有:
方法一直接氮化法:在1 300-l 400℃时,高纯粉状硅与纯氮气化合,其反应方程式为__________:
方法二化学气相沉积法:在高温条件下利用四氯化硅气体、纯氯气、氢气反应生成氯化硅和HCl,与方法一相比,用此法制得的氮化硅纯度较高,其原因是____________________。
方法三 Si(NH2)4热分解法:先用四氯化硅与氨气反应生成Si(NH2)4和一种气体________(填分子式);然后使Si(NH2)4受热分解,分解后的另一种产物的分子式为____________。
Ⅱ.(1)氨化硅抗腐蚀能力很强,但易被氢氟酸腐蚀,氨化硅与氢氟酸反应生成四氟化硅和一种铵盐,此盐中存在的化学键类型有____________。
(2)已知:25℃,101 kPa条件下的热化学方程式:
3Si(s)+2N2(g)=Si3N4(s);△H= -750.2kJ/mol
Si(s)+2Cl2(g)=SiCl4(g);△H=-609.6 kJ/mol
H2(g)+Cl2(g)=HCl(g);△H=-92.3 kJ/mol
请写出四氯化硅气体与氮气、氢气反应的热化学方程式:____________________。
Ⅲ.工业L制取高纯硅和四氯化硅的生产流程如下:
已知:X,高纯硅、原料B的主要成分都可与Z反应,Y与X在光照或点燃条件下可反应,Z的焰色呈黄色。 (1)原料B的主要成分是____________。
(2)写出焦炭与原料B中的主要成分反应的化学方程式:____________________
(3)上述生产流程中电解A的水溶液时,阳极材料能否用Cu?___________(填“能”或“不能”)。写出Cu为阳极电解A的水溶液开始一段时间阴阳极的电极方程式:
阳极:___________________;阴极:_____________________
 0  14717  14725  14731  14735  14741  14743  14747  14753  14755  14761  14767  14771  14773  14777  14783  14785  14791  14795  14797  14801  14803  14807  14809  14811  14812  14813  14815  14816  14817  14819  14821  14825  14827  14831  14833  14837  14843  14845  14851  14855  14857  14861  14867  14873  14875  14881  14885  14887  14893  14897  14903  14911  203614 

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