题目内容
砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
（1）写出基态As原子的最外层电子的电子排布图________________________。
（2）根据元素周期律，原子半径Ga______As，第一电离能Ga_____As。（填“大于”或“小于”）
（3）AsCl3分子的立体构型为____________________，其中As的杂化轨道类型为_________。
（4）GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为77.9℃，其原因是_____________________。
（5）GaAs的熔点为1238℃，密度为ρg·cm?3，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________________,Ga与As以________键键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol?1和MAs g·mol?1，原子半径分别为rGa pm和rAs pm，阿伏加德罗常数值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为____________________。
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)聚合而成的，聚乳酸可在乳酸菌的作用下降解，不造成“白色污染”，可用于替代聚乙烯。下列说法正确的是( )
2C(g)+D(g)在四种不同条件下的反应速率分别为：
Si + 2CO↑ 
SiCl4