题目内容
氮化硅（Si3N4）是一种优良的高温结构陶瓷，在工业生产和科技领域有重要用途。
I．工业上有多种方法来制备氮氦化硅，常见的方法有：
方法一 直接氦化法：在1300~1400℃时，高纯粉状硅与纯氦气化合，其反应方程式为
方法二 化学气相沉积法：在高温条件下利用四氯化硅气体、纯氦气、氢气反应生成氦化硅和HCl，与方法一相比，用此法制得的氦化硅纯度较高，其原因是 。
方法三 Si（NH2）4热分解法：先用四氯化硅与氨气反应生成Si（NH2）4和一种气体
（填分子式）；然后使Si（NH2）4受热分解，分解后的另一种产物的分子式为 。
II．（1）氨化硅抗腐蚀能力很强，但易被氢氟酸腐蚀，氨化硅与氢氟酸反应生成四氟化硅和一种铵盐，此盐中存在的化学键类型有 。
（2）已知：25℃，101kPa条件下的热化学方程式：
3Si（s）+2N2（g）==Si3N4（s） △H=—750.2kJ/mol
Si（s）+2Cl2（g）==SiCl4（g） △H=—609.6kJ/mol
H2（g）+Cl2（g）==HCl（g） △H=—92.3kJ/mol
请写出四氯化硅气体与氮气、氢气反应的热化学方程式：
。
III．工业上制取高纯硅和四氯化硅的生产流程如下：
已知：X，高纯硅、原料B的主要成分都可与Z反应，Y与X在光照或点燃条件下可反应，Z的焰色呈黄色。
（1）原料B的主要成分是 。
（2）写出焦炭与原料B中的主要成分反应的化学方程式： 。
（3）上述生产流程中电解A的水溶液时，阳极材料能否用Cu？ （填“能”或“不能”）。
写出Cu为阳极电解A的水溶液开始一段时间阴阳极的电极方程式：
阳极： ；阴极： 。
I．工业上有多种方法来制备氮氦化硅，常见的方法有：
方法一 直接氦化法：在1300~1400℃时，高纯粉状硅与纯氦气化合，其反应方程式为
方法二 化学气相沉积法：在高温条件下利用四氯化硅气体、纯氦气、氢气反应生成氦化硅和HCl，与方法一相比，用此法制得的氦化硅纯度较高，其原因是 。
方法三 Si（NH2）4热分解法：先用四氯化硅与氨气反应生成Si（NH2）4和一种气体
（填分子式）；然后使Si（NH2）4受热分解，分解后的另一种产物的分子式为 。
II．（1）氨化硅抗腐蚀能力很强，但易被氢氟酸腐蚀，氨化硅与氢氟酸反应生成四氟化硅和一种铵盐，此盐中存在的化学键类型有 。
（2）已知：25℃，101kPa条件下的热化学方程式：
3Si（s）+2N2（g）==Si3N4（s） △H=—750.2kJ/mol
Si（s）+2Cl2（g）==SiCl4（g） △H=—609.6kJ/mol
H2（g）+Cl2（g）==HCl（g） △H=—92.3kJ/mol请写出四氯化硅气体与氮气、氢气反应的热化学方程式：
。
III．工业上制取高纯硅和四氯化硅的生产流程如下：
已知：X，高纯硅、原料B的主要成分都可与Z反应，Y与X在光照或点燃条件下可反应，Z的焰色呈黄色。
（1）原料B的主要成分是 。
（2）写出焦炭与原料B中的主要成分反应的化学方程式： 。
（3）上述生产流程中电解A的水溶液时，阳极材料能否用Cu？ （填“能”或“不能”）。
写出Cu为阳极电解A的水溶液开始一段时间阴阳极的电极方程式：
阳极： ；阴极： 。
略
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H2 C + CO2
2CO 
SiHCl3（g）+H2（g） 
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Si
超纯硅（多晶硅）
单晶硅