题目内容
6.下列各项中的离子方程式,书写正确的是 ( )| A. | AlCl3 水解:Al3++3H2O═Al(OH)3 +3H+ | |
| B. | NaHCO3 电离:NaHCO3 ?Na++HCO3- | |
| C. | 固体Ca(OH)2 与NH4Cl共热:NH4++OH-═NH3+H2O | |
| D. | 过量的CO2 气体通入饱和石灰水中:CO2 +OH-═HCO3- |
分析 A.氯化铝的水解为可逆反应;
B.NaHCO3为强电解质;
C.不是离子反应;
D.过量的CO2 气体通入饱和石灰水生成碳酸氢钙.
解答 解:A.氯化铝的水解为可逆反应,应为Al3++3H2O?Al(OH)3 +3H+,故A错误;
B.NaHCO3为强电解质,应为NaHCO3=Na++HCO3-,故B错误;
C.为固体之间的反应,不是离子反应,故C错误;
D.过量的CO2 气体通入饱和石灰水生成碳酸氢钙,离子方程式为CO2 +OH-═HCO3-,故D正确.
故选D.
点评 本题考查离子方程式的书写,为高考常见题型和高频考点,侧重于学生的分析能力的考查,注意把握离子的性质以及盐类水解的特征,难度不大.
练习册系列答案
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17.下列说法中正确的是( )
| A. | 由不同原子构成的纯净物一定是化合物 | |
| B. | 非金属氧化物一定是酸性氧化物 | |
| C. | 含金属元素的离子一定都是阳离子 | |
| D. | 胆矾是纯净物,水泥是混合物 |
14.漂白粉具有消毒杀菌作用,工业上采用氯气与消石灰反应制得,反应方程式为:2Cl2+2Ca(OH)2=CaCl2+Ca(ClO)2+2H20,下列有关该反应的说法正确的是 ( )
| A. | Ca(ClO)2中Cl元素化合价为-1价 | |
| B. | Ca(OH)2在该反应中失去电子,表现出还原性 | |
| C. | Cl2既是氧化剂又是还原剂 | |
| D. | 若有1molCl2参加反应,则转移2mol电子 |
5.草酸镍晶体(NiC2O4•2H2O)可用于制镍催化剂.某小组用废镍催化剂(成分为Al2O3、Ni、Fe、SiO2等)制备草酸镍晶体的部分实验流程如图1:

已知:①相关金属离子生成氢氧化物沉淀的pH如下表(开始沉淀的pH按金属离子浓度为1.0mol•L-1计算):
(1)粉碎的目的是增大接触面积,加快反应速率,提高镍的浸出率.
(2)保持其他条件相同,在不同温度下对废镍催化剂进行“酸浸”,镍浸出率随时间变化如图2.“酸浸”的适宜温度与时间分别为C(填字母)
a.30℃、30min b.90℃、150min
c.70℃、120min d.90℃、120min
(3)由流程中的“浸出液”得到“溶液x”,首先是加适量H2SO4溶液,再加足量H2SO4溶液,充分反应后用NaOH溶液调节pH5.0≤pH<6.7(填范围),充分反应后过滤,以除去铁、铝元素;
(4)将“沉镍”工序得到的混合物过滤,所得固体用乙醇洗涤、110℃下烘干按,得草酸镍晶体.
①用乙醇洗涤的目的是洗去(NH4)2SO4杂质、便于烘干,减少产品损失;
②烘干温度不超过110℃的原因是防止温度过高,草酸镍晶体分解或失去结晶水.
已知:①相关金属离子生成氢氧化物沉淀的pH如下表(开始沉淀的pH按金属离子浓度为1.0mol•L-1计算):
| 金属离子 | 开始沉淀的pH | 沉淀完全的pH |
| Fe3+ | 1.1 | 3.2 |
| Fe2+ | 5.8 | 8.8 |
| Al3+ | 3.0 | 5.0 |
| Ni2+ | 6.7 | 9.5 |
(2)保持其他条件相同,在不同温度下对废镍催化剂进行“酸浸”,镍浸出率随时间变化如图2.“酸浸”的适宜温度与时间分别为C(填字母)
a.30℃、30min b.90℃、150min
c.70℃、120min d.90℃、120min
(3)由流程中的“浸出液”得到“溶液x”,首先是加适量H2SO4溶液,再加足量H2SO4溶液,充分反应后用NaOH溶液调节pH5.0≤pH<6.7(填范围),充分反应后过滤,以除去铁、铝元素;
(4)将“沉镍”工序得到的混合物过滤,所得固体用乙醇洗涤、110℃下烘干按,得草酸镍晶体.
①用乙醇洗涤的目的是洗去(NH4)2SO4杂质、便于烘干,减少产品损失;
②烘干温度不超过110℃的原因是防止温度过高,草酸镍晶体分解或失去结晶水.
2.下表中,由陈述的事实或性质能得出对应结论的是( )
| 事实 | 结论 | |
| A | A原子、B原子价电子数分别为1、2 | A的金属性一定比B的强 |
| B | 某气态单质X与H2通常条件下不能共存 | 在化合物中,X元素只能呈负价 |
| C | 元素的非金属性M>N | 含氧酸的酸性M>N |
| D | Q分子间存在氢键而P分子间无氢键 | Q的沸点一定比P的高 |
| A. | A | B. | B | C. | C | D. | D |