题目内容
短周期元素X、Y、Z、W的原子序数依次增大，X 原子的最外层电子数是其内层电子总数的3 倍，Y 原子的最外层只有2 个电子，Z 单质可制成半导体材料，W与X属于同一主族。下列叙述正确的是
A、元素W 的简单气态氢化物的热稳定性比X 的强
B、元素W 的最高价氧化物对应水化物的酸性比Z 的弱
C、化合物YX、ZX2、WX3 中化学键的类型相同
D、原子半径的大小顺序： r（Y ）>r（Z ）>r（W） >r（X）
【答案】D
【解析】
试题分析：根据题意可得X是O；Y是Mg；Z是Si；W是S。
A．乙酸 B．丙酸 C．甲酸 D．乙二酸 
）和对羟基苯甲醛（
）的沸点X、Y、Z、W是元素周期表中原子序数依次增大的四种短周期元素，其相关信息如下表：
| 元素 | 相关信息 |
| X | X的最高价氧化物对应的水化物化学式为H2XO3 |
| Y | Y是地壳中含量最高的元素 |
| Z | Z的基态原子最外层电子排布式为3s23p1 |
| W | W的一种核素的质量数为28，中子数为14 |
| T | 常温常压下，T单质是淡黄色固体，常在火山口附近沉积 |
| P | P的价层电子排布为[Ar]3d104s2 |
（1）W位于元素周期表第________周期第________族；W的原子半径比X的________(填“大”或“小”)。
（2）TY2中心原子的杂化方式为_______；XY2中一个分子周围有__________个紧邻分子；堆积方式与XY2晶胞类型相同的金属有_________（从“Cu、 Mg、K、Po”中选出正确的），其空间利用率为_______。
（3）Z的第一电离能比Mg的________(填“大”或“小”)；写出Z单质与NaOH溶液反应的化学方程式 。
（4）写出W的最高价氧化物与NaOH溶液反应的离子方程式 ；W的最高价氧化物与XY2的熔点较高的是 ，原因是 。
（5）处理含XO、TO2烟道气污染的一种方法，是将其在催化剂作用下转化为单质T。已知：
① XO(g)+ 1/2O2(g)=XO2(g) ΔH=-283.0 kJ·mol-1 ② T(s)+O2(g)=TO2(g) ΔH=-296.0 kJ·mol-1
此反应的热化学方程式是______________________________。
（6）P在周期表的 区；P和T形成的化合物PT在荧光体、光导体材料、涂料、颜料等行业中应用广泛。立方PT晶体结构如下图所示，其晶胞边长为540.0 pm，密度为_________ g·cm-3(列式并计算)。
＋
—→H＋[
C
—→
·
·
, 则其结构式可能有( )
中所含官能团的名称依次是 
、 ；