题目内容
20.一定量的铁粉和9g硫粉混合加热,待其反应后再加入过量盐酸,将生成的气体完全燃烧,共收集得18g水,求加入的铁粉质量为( )| A. | 14g | B. | 42g | C. | 56g | D. | 28g |
分析 Fe和S反应生成FeS,FeS、Fe都与HCl反应分别生成H2S、H2,H2S、H2都能燃烧生成水,这一过程中Fe生成亚铁离子进入溶液,所以Fe失去的电子等于氧气得到的电子,n(H2O)=$\frac{18g}{18g/mol}$=1mol,生成水氧气得到的电子物质的量=1mol×2=2mol,根据转移电子相等计算消耗铁的质量.
解答 解:Fe和S反应生成FeS,FeS、Fe都与HCl反应分别生成H2S、H2,H2S、H2都能燃烧生成水,这一过程中Fe生成亚铁离子进入溶液,所以Fe失去的电子等于氧气得到的电子,n(H2O)=$\frac{18g}{18g/mol}$=1mol,生成水氧气得到的电子物质的量=1mol×2=2mol,根据转移电子相等得消耗m(Fe)=$\frac{2mol}{2-0}×56g/mol$=56g,
故选C.
点评 本题考查混合物的计算,侧重考查分析计算能力,能从整体上把握分析是解本题关键,知道铁失电子等于氧气得到的电子即可解答,题目难度中等.
练习册系列答案
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10.下列有关叙述正确的是( )
| A. | 离子化合物中一定含有共价键 | |
| B. | 共价化合物中可能含有离子键 | |
| C. | 第IA族元素与第VIIA族可能形成离子化合物,也可能形成共价化合物 | |
| D. | 非金属元素间不可能形成离子化合物 |
8.各组性质比较的表示中,正确的是( )
| A. | 还原性:HF<HCl<HBr<HI | B. | 稳定性:HF<HCl<HBr<HI | ||
| C. | 氧化性:F2<Cl2<Br2<I2 | D. | 沸点:Cl2<F2<Br2<I2 |
15.水的电离平衡曲线如右图所示.下列说法正确的是( )

| A. | 图中对应点的温度关系为:a>b>c | |
| B. | 纯水仅升高温度,可从a点变到c点 | |
| C. | 水的电离常数KW数值大小关系为:b=d>c | |
| D. | 在b点对应温度下,将pH=2的H2SO4与pH=10的NaOH溶液等体积混合后,溶液显中性 |
12.现有三组混合溶液:①乙酸乙酯和乙酸钠溶液 ②1-丁醇和乙醇 ③溴化钠和单质溴的水溶液,分离以上各混合液的正确方法是( )
| A. | 分液、萃取、蒸馏 | B. | 萃取、蒸馏、分液 | C. | 分液、蒸馏、萃取 | D. | 蒸馏、萃取、分液 |
9.下列各组离子在溶液中能大量共存的是( )
| A. | Na+、H+、Cu2+、NO3- | B. | Na+、Fe2+、H+、NO3- | ||
| C. | NH4+、Cl-、SO42-、OH- | D. | HCO3-、I-、Na+、OH- |
8.
硅及其化合物的开发由来已久,在现代生活中有广泛应用.回答下列问题.
(1)高纯硅是现代信息、半导体和光伏发电等产业都需要的基础材料.工业上提纯硅有多种路线,其中一种工艺流程示意图及主要反应如图.
①还原炉中发生主要反应的化学方程式为SiHCl3+H2$\frac{\underline{\;高温\;}}{\;}$Si+3HCl.该工艺中可循环使用的物质为HCl和H2(填化学式).用石英砂和焦炭在电弧炉中高温加热也可以生产碳化硅,该反应的化学方程式为SiO2+3C$\frac{\underline{\;高温\;}}{\;}$ SiC+2CO↑.
②在流化床反应的产物中,SiHCl3大约占85%,还有SiCl4、SiH2Cl2、SiH3Cl等,有关物质的沸点数据如下表,提纯SiHCl3的主要工艺操作依次是沉降、冷凝和精馏(或蒸馏).
③SiHCl3极易水解,其完全水解的化学方程式为SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl↑.
(2)氮化硅(Si3N4)是一种高温结构材料,粉末状态的Si3N4可以由SiCl4的蒸气和NH3反应制取.粉末状Si3N4遇空气和水都不稳定.但将粉末状的Si3N4和适量氧化镁在230×1.01×105Pa和185°C的密闭容器中进行热处理,可以制得结构十分紧密、对空气和水都相当稳定的固体材料,同时还得到遇水不稳定的Mg3N2.
①由SiCl4和NH3反应制取Si3N4的化学方程式为3SiCl4+4NH3$\frac{\underline{\;高温\;}}{\;}$Si3N4+12HCl.
②四氯化硅和氮气在氢气气氛保护下,加强热发生反应,使生成的Si3N4沉积在石墨表面可得较高纯度的氮化硅,该反应的化学方程式为3SiCl4+2N2+6H2$\frac{\underline{\;高温\;}}{\;}$Si3N4+12HCl.
③Si3N4和适量氧化镁在230×1.01×105Pa和185°C的密闭容器中进行热处理的过程中,除生成Mg3N2外,还可能生成SiO2物质(填化学式).热处理后除去MgO和Mg3N2的方法是加足量稀盐酸过滤.
(1)高纯硅是现代信息、半导体和光伏发电等产业都需要的基础材料.工业上提纯硅有多种路线,其中一种工艺流程示意图及主要反应如图.
| 发生的主要反应 | |
| 电弧炉 | SiO2+2C$\frac{\underline{\;1600-1800℃\;}}{\;}$Si+2CO↑ |
| 流化床反应器 | Si+3HCl$\frac{\underline{\;250-300\;}}{\;}$SiHCl3+H2 |
| 还原炉 |
②在流化床反应的产物中,SiHCl3大约占85%,还有SiCl4、SiH2Cl2、SiH3Cl等,有关物质的沸点数据如下表,提纯SiHCl3的主要工艺操作依次是沉降、冷凝和精馏(或蒸馏).
| 物质 | Si | SiCl4 | SiHCl3 | SiH2Cl2 | SiH3Cl | HCl | SiH4 |
| 沸点/°C | 2355 | 57.6 | 31.8 | 8.2 | -30.4 | -84.9 | -111.9 |
(2)氮化硅(Si3N4)是一种高温结构材料,粉末状态的Si3N4可以由SiCl4的蒸气和NH3反应制取.粉末状Si3N4遇空气和水都不稳定.但将粉末状的Si3N4和适量氧化镁在230×1.01×105Pa和185°C的密闭容器中进行热处理,可以制得结构十分紧密、对空气和水都相当稳定的固体材料,同时还得到遇水不稳定的Mg3N2.
①由SiCl4和NH3反应制取Si3N4的化学方程式为3SiCl4+4NH3$\frac{\underline{\;高温\;}}{\;}$Si3N4+12HCl.
②四氯化硅和氮气在氢气气氛保护下,加强热发生反应,使生成的Si3N4沉积在石墨表面可得较高纯度的氮化硅,该反应的化学方程式为3SiCl4+2N2+6H2$\frac{\underline{\;高温\;}}{\;}$Si3N4+12HCl.
③Si3N4和适量氧化镁在230×1.01×105Pa和185°C的密闭容器中进行热处理的过程中,除生成Mg3N2外,还可能生成SiO2物质(填化学式).热处理后除去MgO和Mg3N2的方法是加足量稀盐酸过滤.