题目内容


短周期元素X、Y、Z、W的原子序数依次增大,X 原子的最外层电子数是其内层电子总数的3 倍,Y 原子的最外层只有2 个电子,Z 单质可制成半导体材料,W与X属于同一主族.下列叙述正确的是(  )

 

A.

元素W 的简单气态氢化物的热稳定性比X 的强

 

B.

元素W 的最高价氧化物对应水化物的酸性比Z 的弱

 

C.

化合物YX、ZX2、WX3 中化学键的类型相同

 

D.

原子半径的大小顺序:rY>rZ>rW>rX


考点:

原子结构与元素周期律的关系;原子结构与元素的性质.

分析:

短周期元素X、Y、Z、W的原子序数依次增大,X原子的最外层电子数是其内层电子总数的3倍,X有2个电子层,最外层电子数为6,故X为O元素,W与X属于同一主族,故W为S元素,Y原子的最外层只有2个电子,原子序数大于O元素,故Y处于第三周期,故Y为Mg元素,Z单质可制成半导体材料,Z为Si元素.

解答:

解:短周期元素X、Y、Z、W的原子序数依次增大,X原子的最外层电子数是其内层电子总数的3倍,X有2个电子层,最外层电子数为6,故X为O元素,W与X属于同一主族,故W为S元素,Y原子的最外层只有2个电子,原子序数大于O元素,故Y处于第三周期,故Y为Mg元素,Z单质可制成半导体材料,Z为Si元素,

A.非金属性X(O)>W(S),故W元素的简单气态氢化物的还原性比X的弱,故A错误;

B.非金属Z(Si)<W(S),故硫酸的酸性比硅酸强,故B错误;

C.MgO含有离子键,SiO2、SO3含有共价键,故C错误;

D.同周期自左而右,原子半径减小,同主族电子层越多原子半径越大,故原子半径Mg>Si>S>O,即rY>rZ>rW>rX,故D正确,

故选:D.

点评:

本题考查结构性质与位置关系、元素周期律等,难度不大,推断元素是解题的关键.

 

练习册系列答案
相关题目

X、Y、Z、W是元素周期表中原子序数依次增大的四种短周期元素,其相关信息如表:

元素

相关信息

X

X的最高价氧化物对应的水化物化学式为H2XO3

Y

Y是地壳中含量最高的元素

Z

Z的基态原子最外层电子排布式为3s23p1

W

W的一种核素的质量数为28,中子数为14

T

常温常压下,T单质是淡黄色固体,常在火山口附近沉积

P

P的价层电子排布为[Ar]3d104s2

(1)W位于元素周期表第  周期第 族;W的原子半径比X的  (填“大”“小”).

(2)TY2中心原子的杂化方式为 ;XY2中一个分子周围有  个紧邻分子;堆积方式与XY2晶胞类型相同的金属有  (从“Cu、Mg、K、Po”中选出正确的),其空间利用率为  

(3)Z的第一电离能比Mg的  (填“大”或“小”);写出Z单质与NaOH溶液反应的化学方程式  

(4)写出W的最高价氧化物与NaOH溶液反应的离子方程式  ;W的最高价氧化物与XY2的熔点较高的是,原因是  

(5)处理含XO、TO2烟道气污染的一种方法,是将其在催化剂作用下转化为单质T.已知:

XO(g)+1/2O2(g)═XO2(g)△H=﹣283.0kJ•mol﹣1

T(s)+O2(g)═TO2(g)△H=﹣296.0kJ•mol﹣1

此反应的热化学方程式是 

(6)P在周期表的 区;P和T形成的化合物PT在荧光体、光导体材料、涂料、颜料等行业中应用广泛.立方PT晶体结构如下图所示,其晶胞边长为540.0pm,密度为   g•cm﹣3(列式并计算).

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