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小强同学按如图所示电路连接电学器材进行电学实验。已知电源两端电压为6V且保持不变,电流表量程为0~0.6A,电压表量程为0~3V,电阻R的阻值为10Ω,滑动变阻器R0的规格为“20Ω  0.5A”。将开关S闭合后,为保证电路中各元件正常工作,则以下说法中正确的是
A.电路消耗的最大功率为1.6W
B.电压表示数变化量的最大值为1V
C.通过电阻R的电流最大值为0.4A
D.滑动变阻器R0 接入电路的最小阻值为5Ω
B

试题分析:电路中允许通过的电流最大值是0.5A,这决定了滑动变阻器接入电路的有一个极小值。,。定值电阻两端的最大电压为3V,这也决定了滑动变阻器接入电路的有一个极小值。,,所以滑动变阻器接入电路的阻值范围是10Ω~20Ω。电路消耗的最大电功率。当滑动变阻器全部接入电路,定值电阻两端的电压最小,,电压表示数变化量的最大值是1V,B选项正确。通过电阻的最大电流是0.3A,C选项错误。滑动变阻器接入电路的最小值是10Ω,D选项错误。
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巨磁电阻效应
1988年阿尔贝·费尔和彼得·格林贝格尔发现,在铁、铬相间的三层复合膜电阻中(如图甲),微弱的磁
场可以导致电阻大小的急剧变化,这种现象被命名为“巨磁电阻效应”.
更多的实验发现,并非任意两种不同种金属相间的三层膜都具有“巨磁电阻效应”.组成三层膜的两
种金属中,有一种是铁、钴、镍这三种容易被磁化的金属中的一种,另一种是不易被磁化的其他金属,才可能产生“巨磁电阻效应”.
进一步研究表明,“巨磁电阻效应”只发生在膜层的厚度为特定值时.用R0表示未加磁场时的电阻,R表示加入磁场后的电阻,科学家测得铁、铬组成的复合膜R与R0之比与膜层厚度d(三层膜厚度均相同)的关系如乙图所示.
1994年IBM公司根据“巨磁电阻效应”原理,利用铁、铬组成的复合膜研制出“新型读出磁头”,将磁场对复合膜阻值的影响转换成电流的变化来读取信息.

(1)以下两种金属组成的三层复合膜可能发生“巨磁电阻效应”的是     
A.铜、银B.铁、铜C.铜、铝D.铁、镍
(2)对铁、铬组成的复合膜,当膜层厚度是2.2nm时,这种复合膜电阻    (选填“具有”或“不具有”)“巨磁电阻效应”.
(3)丙图是硬盘某区域磁记录的分布情况,其中1表示有磁区域,0表示无磁区域,将“新型读出磁头”组成如图所示电路,当磁头从左向右匀速经过该区域过程中,电流表读数变化情况应是丁图中的     .

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