A、B、C、D、E都是短周期主族元素，原子序数依次增大．其中B、C同周期，A、D同主族，E的单质可溶于烧碱溶液．A、B能形成两种在常温下呈液态的化合物甲和乙，原子个数比分别为2：1和1：1．根据以上信息回答下列问题：
（1）甲、乙两分子中含有非极性共价键的物质的电子式是，C在周期表中的位置是；C和D的离子中，半径较小的是（填离子符号）．
（2）实验室在测定C的气态氢化物的相对分子质量时，发现实际测定值比理论值大出许多，其原因是．
（3）C，D，E可组成离子化合物D₃EC₆，该化合物的阴离子的立体构型是．

A、B、C、D、E都是元素周期表中前20号的元素，原子序数依次增大，B、C、D同周期，A、D同主族，E和其它元素既不在同周期也不在同主族，B、C、D的最高价氧化物的水化物两两混合均能发生反应生成盐和水．A和E可组成离子化合物，其晶胞（晶胞是在晶体中具有代表性的最小重复单元）结构如图所示，阳离子（用“●”表示）位于该正方体的顶点或面心；阴离子（用“○”表示）位于小正方体的中心．
根据以上信息，回答下列问题：
（1）比较A和D的氢化物，后者的沸点较低，
（2）其原因是
（2）B的离子结构示意图为，元素C在元素周期表中的位置是；
（3）A和E形成的化合物的电子式是．
（4）C原子的电子排布式是．

A．B．C．D．E都是元素周期表中前20号元素，原子序数依次增大，B、C、D同周期，A、D同主族，E与其它元素既不在同周期也不在同主族，B、C、D的最高价氧化物的水化物两两混合均能发生反应，D的单质为淡黄色固体．根据以上信息，回答下列问题：
（1）A和D的氢化物中，稳定性较弱的是选填A或D）；A和B的离子中，半径较小的是填离子符号 ）．
（2）元素C在元素周期表中的位置是．（3）E元素的名称是．
（4）写出C、D的最高价氧化物的水化物之间反应的离子方程式．

已知A、B、C、D和E都是元素周期表中前20号的元素，它们的原子序数依次增大．A原子的价电子层的p轨道中只有1个电子；B、C、D元素的基态原子具有相同的能层数，B、D元素的原子的p能级上都有1个未成对电子，D原子得一个电子填入3p轨道后，3p轨道已充满，C原子的p轨道中有3个未成对电子；E是同周期第一电离能最小的元素．回答下列问题：
（1）写出下列元素的符号：A、B、C；
（2）上述五种元素中最高价氧化物对应水化物酸性最强的是，（填写化学式）碱性最强的是；（填写电子式）
（3）用元素符号表示D所在周期（除稀有气体元素外）第一电离能最大的元素是，电负性最大的元素是；
（4）在AD₃分子中A元素原子的原子轨道发生的是杂化，分子空间构型为；
（5）将B 的单质投入E的最高价氧化物对应水化物中，发生反应生成物中有此离子[B（OH）₄]^-离子方程式是．
（6）石墨具有平面层状结构，同一层中的原子构成许许多多的正六边形，它与熔融的E单质相互作用，形成某种青铜色的物质（其中的元素E用“●”表示），原子分布如图所示，该物质的化学式为．

（2009?宿迁模拟）已知A、B、C、D、E都是周期表中前四周期的元素，它们的核电荷数A＜B＜C＜D＜E．其中B、D、E原子最外电子层的p能级（轨道）上的电子处于半满状态．通常情况下，A的一种氧化物分子为非极性分子，其晶胞结构如右下图所示．原子序数为31的元素镓（Ga）与元素B形成的一种化合物是继以C单质为代表的第一代半导体材料和GaE为代表的第二代半导体材料之后，在近10年迅速发展起来的第三代新型半导体材料．
试回答下列问题：（答题时，A、B、C、D、E用所对应的元素符号表示）
（1）基态Ga原子的核外电子排布式为．
（2）A、B、C的第一电离能由大到小的顺序为．
（3）B元素的单质分子中有个π键，与其互为等电子体的物质的化学式可能为（任写一种）．
（4）上述A的氧化物分子的中心原子采取杂化，其晶胞中微粒间的作用力为．
（5）EH₃分子的空间构型为，其沸点与BH₃相比（填“高”或“低”），原因是．
（6）向CuSO₄溶液中逐滴加入BH₃的水溶液，得到深蓝色的透明溶液．请写出该反应的离子方程式．