题目内容
3.如图甲所示,质量m1=0.1kg,电阻R1=0.3Ω,长度L=0.4m的导体棒ab横放在U型金属框架上,框架质量m2=0.2kg,放在绝缘水平面上,与水平面间的动摩擦因数μ=0.01,相距0.4m的MM′、NN′相互平行,电阻不计且足够长.电阻R2=0.1Ω的MN垂直于MM′.整个装置处于磁感应强度大小可以调节的竖直向上的匀强磁场中.开始时,磁感应强度B0=0.1T,ab与M N相距0.4m.(1)若保持磁感应强度B0不变,垂直于ab施加水平外力,ab从静止开始无摩擦地运动,始终与MM′、NN′保持良好接触,当ab运动到某处时,框架开始运动.设框架与水平面间最大静摩擦力等于滑动摩擦力,g取10m/s2.求框架开始运动时ab速度v的大小.
(2)若固定U型金属框架不动,导体棒ab与U型金属框架间的滑动摩擦力大小f=0.2N,从t=0开始,磁感应强度B随时间t按图乙中图象所示的规律变化,求在金属棒ab开始运动前,这个装置释放的热量是多少?
分析 (1)根据法拉第定律、欧姆定律和安培力公式,即可求解.
(2)根据F与t的函数表达式,结合牛顿第二定律,及闭合电路欧姆定律,依据图象的含义,求解在金属棒b开始运动前经过的时间,再由焦耳定律求解热量.
解答 解:(1)依题意,最大静摩擦力等于滑动摩擦力,则框架受到最大静摩擦力Ff=μ(m1+m2)g
ab中的感应电动势E=Blv
MN中电流 $I=\frac{E}{{{R_1}+{R_2}}}$
MN受到的安培力F安=BIl
框架开始运动时F安=Ff
由上述各式代入数据,解得v=7.5m/s;
(2)当磁感应强度均匀增大时,闭合电路中有恒定的感应电流I,以ab棒为研究对象,它受到的安培力逐渐增大,静摩擦力也随之增大,
当磁感应度增大到ab所受安掊力F′安与最大静摩擦力f相等时开始滑动.
感应电动势:E′=$\frac{△B}{△t}{L}^{2}$=0.08V
I′=$\frac{E′}{R}$=0.2A
棒ab将要运动时,有F′安=BtI′L=f
因此Bt=2.5 T
根据Bt=B0+$\frac{△B}{△t}$t=(0.1+0.5t)T
得t=4.8s
回路中产生焦耳热为Q=I′2Rt=0.0768J;
答:(1)框架开始运动时ab速度v的大小7.5m/s;
(2)在金属棒ab开始运动前,这个装置释放的热量是0.0768J.
点评 考查图象的斜率含义,掌握牛顿第二定律与闭合电路欧姆定律的应用,注意从图象中选取两点代入公式计算,是解题的关键.
A. | 平均速度、瞬时速度以及加速度等概念就是由伽利略首先建立起来的 | |
B. | 伽利略利用扭秤实验测量了引力常量的大小 | |
C. | 伽利略利用比萨斜塔进行落体实验得出轻重不同的物体下落一样快 | |
D. | 伽利略利用理想斜面实验得出力不是维持物体运动的原因 |
A. | Ep增大、Ek减小 | B. | Ep减小、Ek增大 | C. | Ep减小、En增大 | D. | Ep增大、En增大 |
A. | 速度 | B. | 合外力 | C. | 向心加速度 | D. | 角速度 |
A. | 说明了悬浮微粒时刻在做无规则运动 | |
B. | 说明了分子在永不停息地做无规则运动 | |
C. | 说明了悬浮微粒的无规则运动是因为微粒的体积很小 | |
D. | 说明了液体分子与悬浮微粒之间有相互作用力 |
A. | 若磁场是匀强磁场,铜球滚上的最大高度小于h | |
B. | 若磁场是匀强磁场,铜球滚上的最大高度等于h | |
C. | 若是从左到右逐渐增强的非匀强磁场,铜球滚上的最大高度小于h | |
D. | 若是从左到右逐渐增强的非匀强磁场,铜球滚上的最大高度大于h |
A. | 仅将初速度适当减小 | B. | 仅将抛出点位置适当降低 | ||
C. | 仅将抛出点位置适当后退 | D. | 仅将初速度适当增大 |