题目内容
如图所示,间距为L的光滑平行金属导轨弯成“∠”型,底部导轨面水平,倾斜部分与水平面成θ角,导轨与固定电阻R相连,整个装置处于竖直向上的大小为B的匀强磁场中.有两导体棒ab和cd,质量均为m,两导体棒的电阻与固定电阻R阻值相等(阻值未知),垂直于导轨放置,且与导轨间接触良好,当导体棒cd沿底部导轨向右滑动速度为v时,导体棒ab恰好在倾斜导轨上处于静止状态,则此时( )
分析:根据ab棒处于静止状态,由棒受力平衡求出安培力的大小.
根据欧姆定律求解R的阻值大小.根据串并联电路特点,由P=I2R求解导体棒cd和R上消耗的热功率.
根据欧姆定律求解R的阻值大小.根据串并联电路特点,由P=I2R求解导体棒cd和R上消耗的热功率.
解答:解:A、对ab棒进行受力分析如右图所示,由于ab棒静止,所以ab棒所受安培力 Fab=mgtanθ
根据题意画出等效电路如图所示:
由于通过cd的电流是ab的2倍,根据安培力公式F=BIL可知,导体棒cd受到的安培力是ab棒所受安培力的2倍,所以 导体棒cd受到的安培力为:Fcd=2mgtanθ,故A正确.
B、回路中总电阻为:R总=
R+R=
R,
产生感应电动势为:E=BLv,所以回路中总电流为:I总=
=
根据电路知识知流经ab棒的电流为:I=
I总=
所以ab棒受到的安培力为:Fab=BIL=
由ab的平衡知:mgtanθ=F
所以解得:R=
,故B错误.
C、D导体棒ab消耗的热功率为:Pab=I2R=(
)2R=
=
mgvtanθ
电阻R消耗的热功率与ab消耗的热功率相等,也为
mgvtanθ.故C错误,D正确.
故选:AD
根据题意画出等效电路如图所示:
由于通过cd的电流是ab的2倍,根据安培力公式F=BIL可知,导体棒cd受到的安培力是ab棒所受安培力的2倍,所以 导体棒cd受到的安培力为:Fcd=2mgtanθ,故A正确.
B、回路中总电阻为:R总=
1 |
2 |
3 |
2 |
产生感应电动势为:E=BLv,所以回路中总电流为:I总=
BLv |
R总 |
2BLv |
3R |
根据电路知识知流经ab棒的电流为:I=
1 |
2 |
BLv |
3R |
所以ab棒受到的安培力为:Fab=BIL=
B2L2v |
3R |
由ab的平衡知:mgtanθ=F
所以解得:R=
B2L2v |
3mgtanθ |
C、D导体棒ab消耗的热功率为:Pab=I2R=(
BLv |
3R |
B2L2v2 |
9R |
1 |
3 |
电阻R消耗的热功率与ab消耗的热功率相等,也为
1 |
3 |
故选:AD
点评:掌握闭合电路欧姆定律和正确的受力分析,根据平衡知识求解是解决本题的关键.
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