题目内容
【题目】如图,OAC为正三棱柱框架在xOy平面的一个截面,OA与x轴正方向夹角为30°。OA上方空间存在沿y轴负方向、场强大小为E的匀强电场,框架内存在垂直OAC平面向外的匀强磁场。y轴上P点的离子源,每隔相同时间,以速度v0沿x轴正方向射出质量为m,电荷量为q的正离子,不考虑离子间的相互作用,离子恰好从OA正中间的小孔Q垂直于OA射入框架。若离子每次与框架内壁碰撞后等速率反弹,碰撞时间忽略不计,经过数次碰撞后又恰好从小孔Q沿与OA垂直方向射出框架,离子电荷量始终不变且离子的重力不计。已知第一个离子刚从Q处射入框架时,第二个离子恰好从P处射出,框架内磁感应强度大小不超过。
(1)求OQ间的距离;
(2)求匀强磁场磁感应强度的大小;
(3)第一个离子从框架射出前框架内最多可能有多少个离子。
【答案】(1);(2) (n=1、2、3、………,15)
【解析】(1)设离子从P到Q的时间为t1,到Q点时,速度沿y方向的分量vy,
有:
解得:
设OQ间距为L,由几何关系有,
解得:
(2)设离子在磁场中作圆周运动的半径为r,依题意有,,其中n=0,1,2,3……
离子在磁场中运动的速度
又,
解得,n=0,1,2,3,…,15
(3)离子在磁场中作圆周运动的周期为T,
第一个离子进入框架到离开框架经历的时间为t2,
经分析,,其中n=0,1,2,3,…,15
解得
当n=15时该式取最大值,
所以第一个离子从框架射出前框架内最多可能有6个离子
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