题目内容
9.如图所示,正方形导线框abcd的质量为m、边长为l,导线框的总电阻为R.导线框从垂直纸面向里的水平有界匀强磁场的上方某处由静止自由下落,下落过程中,导线框始终在与磁场垂直的竖直平面内,cd边保持水平.磁场的磁感应强度大小为B,方向垂直纸面向里,磁场上、下两个界面水平距离为l.已知cd边刚进入磁场时线框恰好做匀速运动.重力加速度为g.(1)求cd边刚进入磁场时导线框的速度大小?
(2)导线框的cd边进入磁场时,安培力的功率是多少?
(3)求从导线框cd边刚进入磁场到ab边刚离开磁场的过程中,导线框产生的焦耳热.
分析 (1)cd边刚进入磁场时做匀速直线运动,则重力等于安培力,法拉第电磁感应定律、欧姆定律得到安培力与速度的关系,根据平衡条件求出线框的速度.
(2)导线框cd边在磁场中运动时,克服安培力做功的功率为:P安=F安v,
(3)导线框ab边刚进入磁场时,cd边即离开磁场.因此导线框继续作匀速运动.导线框穿过磁场的整个过程中动能不变.根据动能定理列式求解线框克服安培力所做的功,即焦耳热.
解答 解:(1)设线框cd边刚进入磁场时的速度为v,
则在cd边进入磁场过程时产生的感应电动势为E=Blv,
根据闭合电路欧姆定律,通过导线框的感应电流为I=$\frac{BLv}{R}$
导线框受到的安培力为F安=BIl=$\frac{{B}^{2}{L}^{2}v}{R}$
因cd刚进入磁场时导线框做匀速运动,所以有F安=mg,
以上各式联立,
得:$v=\frac{mgR}{{B}^{2}{L}^{2}}$
(2)导线框cd边在磁场中运动时,克服安培力做功的功率为:P安=F安v
代入整理得:P安=$\frac{{B}^{2}{L}^{2}{v}^{2}}{R}$
(3)导线框ab边刚进入磁场时,cd边即离开磁场,因此导线框继续做匀速运动.导线框穿过磁场的整个过程中,导线框的动能不变.
设导线框克服安培力做功为W安,根据动能定理有2mgl-W安=0,解得:W安=Q=2mgl.
答:(1)cd边刚进入磁场时导线框的速度大小为$\frac{mgR}{{B}^{2}{L}^{2}}$;
(2)导线框的cd边进入磁场时,安培力的功率是$\frac{{B}^{2}{L}^{2}{v}^{2}}{R}$;
(3)求从导线框cd边刚进入磁场到ab边刚离开磁场的过程中,导线框产生的焦耳热2mgl.
点评 本题考查电磁感应与力学和功能的综合,知道线框匀速运动时,安培力与重力平衡,结合切割产生的感应电动势公式、安培力公式、闭合电路欧姆定律进行求解.
A. | 电感对交变电流有阻碍作用 | |
B. | 电感对交变电流阻碍作用越大,感抗就越小 | |
C. | 电感具有“通交流、阻直流,通高频、阻低频”的性质 | |
D. | 线圈的自感系数越大,交变电流的频率越高,电感对交变电流的阻碍作用就越小 |
A. | R1电阻变小,b点电势升高 | B. | R1电阻变小,b点电势降低 | ||
C. | R1电阻变大,b点电势升高 | D. | R1电阻变大,b点电势降低 |
A. | 一块玻璃破裂成两块不能直接拼接,是由于分子间斥力造成 | |
B. | 给自行车打气时气筒压下后反弹,是由分子斥力造成 | |
C. | 固体压缩后撤力恢复原状,是由于分子间存在斥力造成 | |
D. | 各向同性的物质一定是非晶体 |
A. | 飞船变轨时必须向运动的反方向喷气进行加速 | |
B. | 变轨后与变轨前相比,飞船的线速度将变小 | |
C. | 根据题中所供条件可以确定该星球的质量 | |
D. | 根据题中所供条件可以确定该星球的密度 |