题目内容

【题目】如图所示，一个U形导体框架，其宽度l=1m，框架所在平面与水平面的夹用α=30°。其电阻可忽略不计。设匀强磁场与U形框架的平面垂直。匀强磁场的磁感强度 B＝0.2T。今有一条形导体ab，其质量为m＝0.5kg，有效电阻R=0.1Ω，跨接在U形框架上，并且能无摩擦地滑动，求

（1）由静止释放导体，导体ab下滑的最大速度vm；

（2）在最大速度vm时，在ab上释放的电功率。（g=10m／s2）。

【答案】（1）6.25m/s（2）2.5W

【解析】（1）导体ab受G和框架的支持力N，而做加速运动由牛顿第二定律

解得

但是导体从静止开始运动后，就会产生感应电动势，回路中就会有感应电流，感应电流使得导体受到磁场的安培力的作用。设安培力为，

，解得

随着速度v的增加，加速度a逐渐减小。当时，速度v有最大值

（2）在导体ab的速度达到最大值时，电阻上释放的电功率

练习册系列答案
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（1）撤去F瞬间物体的速度v.

（2）撤去F后,物体还能滑行多远?

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①该激光在玻璃介质中传播的速度；

②两个光斑之间的距离x。

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A. t=0时，线圈内产生的感应电动势大小为2V

B. t=0时，导体棒ab两端的电压为1.0V

C. t=0时，导体棒的加速度大小为

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（1）电场强度E的大小；

（2）匀强磁场的方向；

（3）磁感应强度B的大小。

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A. 小球水平抛出时的初速度大小为gttan θ

B. 小球在t时间内的位移方向与水平方向的夹角为

C. 若小球初速度增大，则平抛运动的时间变长

D. 若小球初速度增大，则θ减小

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