题目内容
【题目】下列与含氯化合物有关的说法正确的是
A. HClO是弱酸，所以NaClO是弱电解质
B. 向沸水中逐滴加入少量饱和FeCl3溶液，可制得Fe(OH)3胶体
C. 六水合氯化钙可用作食品干燥剂
D. 氯化铵、漂白粉都属于强电解质
【答案】B
【解析】A. HClO是弱酸，但NaClO完全电离，属于强电解质，A错误；B. 向沸水中逐滴加入少量饱和FeCl3溶液，继续加热煮沸即可制得Fe(OH)3胶体，B正确；C. 六水合氯化钙不能再吸水，不能用作食品干燥剂，C错误；D. 氯化铵属于强电解质，漂白粉是混合物，不是电解质，也不是非电解质，D错误，答案选B。
【题目】对水样中溶质M的分解速率影响因素进行研究。在相同温度下，M的物质的量浓度(mol·L-1)随时间(min)变化的有关实验数据见下表。
时间 水样 | 0 | 5 | 10 | 15 | 20 | 25 |
Ⅰ(pH＝2) | 0.40 | 0.28 | 0.19 | 0.13 | 0.10 | 0.09 |
Ⅱ(pH＝4) | 0.40 | 0.31 | 0.24 | 0.20 | 0.18 | 0.16 |
Ⅲ(pH＝4) | 0.20 | 0.15 | 0.12 | 0.09 | 0.07 | 0.05 |
Ⅳ(pH＝4，含Cu2+) | 0.20 | 0.09 | 0.05 | 0.03 | 0.01 | 0 |
下列说法不正确的是
A. 在0～20min内，I中M的分解速率为0.015 mol·L-1·min-1
p>B. 水样酸性越强，M的分解速率越快C. 在0～25min内，III中M的分解百分率比II大
D. 由于Cu2+存在，IV中M的分解速率比I快
【题目】砷化镓是继硅之后研究最深入、应用最广泛的半导体材料。回答下列问题：
(1)Ga 基态原子核外电子排布式为 ____，As 基态原子核外有_________个未成对电子。
(2)Ga、As、Se 的第一电离能中大到小的顺序是 __________，Ga、As、Se 的电负性由大到小的顺序是 ____。
(3)比较下列镓的卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因：_____。
镓的卤化物 | GaCl3 | GaBr3 | GaI3 |
熔点/℃ | 77.75 | 122.3 | 211.5 |
沸点/℃ | 201.2 | 279 | 346 |
GaF3 的熔点超过 1000 ℃，可能的原因是 _____________。
(4)二水合草酸镓的结构如图 1 所示，其中镓原子的配位数为_____，草酸根中碳原子的杂化轨道类型为 ____。
(5)砷化镓的立方晶胞结构如图 2 所示，晶胞参数为 a=0.565nm，砷化镓晶体的密度为_____g/ cm3(设 NA为阿伏加德罗常数的值，列出计算式即可)。
