题目内容
【题目】科学的进步离不开技术的突破。原子光谱、核磁共振、X射线衍射、量子计算等技术的发展与应用都推进了结构的研究。如过渡元素原子结构、超分子结构、晶体结构研究等。
(1)过渡元素Ni原子的基态电子排布式为____________________,Ni的核外电子由基态跃迁至激发态时产生的光谱是__________(填“吸收”或“发射”)光谱。
(2)胍鎓离子[C(NH2)3+]可以与甲基磺酸根(CH3SO3-)形成超分子晶体,其局部结构如图所示。
①组成该晶体的元素中第一电离能最大的是_____________,其中C的杂化类型有_______________。
②元素C、N、S的简单氢化物在水中的溶解度从大到小的顺序为__________,原因是__________。
(3)近年研究人员通过量子化学计算预测并合成了化合物Na2He,经X射线衍射分析其晶胞结构如图所示。
①晶胞中Na堆积形成__________(填形状)空隙,He占据一半空隙,另一半由e-占据。已知Na2He晶体不能导电,理由是_________________________。
②已知晶胞边长为a nm,晶胞中Na的半径为b nm,则He的半径为__________nm(列出计算式即可)。
【答案】 [Ar]3d84s2(或1s22s22p63s23p63d84s2) 吸收 N sp2、sp3 NH3>H2S>CH4 CH4为非极性分子,NH3、H2S均为极性分子,且NH3能与水形成氢键 立方体 没有自由移动的离子和电子(
【解析】(1)Ni的原子序数为28,根据能量最低原理可写出电子排布式为[Ar]3d84s2或1s22s22p63s23p63d84s2;原子吸收可见光和紫外光,可以使核外电子由基态跃迁到激发态,相应于不同能级之间的跃迁都需吸收一定波长的光,Ni的核外电子由基态跃迁至激发态时产生的光谱是吸收光谱;(2)①组成该晶体的元素有C、H、N、O、S,O、S 属于同一主族元素,同一主族元素的第一电离能从上而下依次减小,故O>S;C、N、O属于同一周期元素且原子序数依次减小,同一周期元素的第一电离能随着原子序数的增大而增大,但第ⅤA族的大于第ⅥA族的,所以其第一电离能大小顺序是N>O>C,故第一电离能最大的是N,其中甲基中的碳为sp3杂化,[C(NH2)3+]中C为sp2杂化;②元素C、N、S的简单氢化物在水中的溶解度从大到小的顺序为NH3>H2S>CH4,原因是CH4为非极性分子,NH3、H2S均为极性分子,且NH3能与水形成氢键;(3)①由图可知,晶胞中Na堆积形成立方体空隙,He占据一半空隙,另一半由e-占据。Na2He晶体中没有自由移动的离子和电子,因此不能导电;②已知晶胞边长为anm,Na与He原子之间的距离为nm,晶胞中Na的半径为bnm,则He的半径为
nm。
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【题目】[化学—选修3:物质结构与性质]
硅是重要的半导体材料,构成了现代电子工业的基础。请回答下列问题:
(1)基态Si原子中,电子占据的最高能层符号为_______,该能层具有的原子轨道数为________、电子数为___________。
(2)硅主要以硅酸盐、___________等化合物的形式存在于地壳中。
(3)单质硅存在与金刚石结构类似的晶体,其中原子与原子之间以___________相结合,其晶胞中共有8个原子,其中在面心位置贡献__________个原子。
(4)单质硅可通过甲硅烷(SiH4)分解反应来制备。工业上采用Mg2Si和NH4Cl在液氨介质中反应制得SiH4,该反应的化学方程式为___________________________________。
(5)碳和硅的有关化学键键能如下所示,简要分析和解释下列有关事实:
化学键 | C—C | C—H | C—O | Si—Si | Si—H | Si—O |
键能/(kJmol-1 | 356 | 413 | 336 | 226 | 318 | 452 |
①硅与碳同族,也有系列氢化物,但硅烷在种类和数量上都远不如烷烃多,原因是______。
②SiH4的稳定性小于CH4,更易生成氧化物,原因是___________________________。
(6)在硅酸盐中,SiO4- 4四面体(如下图(a))通过共用顶角氧离子可形成岛状、链状、层状、骨架网状四大类结构型式。图(b)为一种无限长单链结构的多硅酸根,其中Si原子的杂化形式为______,Si与O的原子数之比为_________,化学式为__________________。