题目内容

【题目】ⅤA族的某些单质及其化合物常用于制作太阳能电池、半导体材料等。

(1)基态时砷原子核外的电子排布式为____________。

(2)硒、溴与砷同周期,三种元素的第一电离能从大到小顺序为____________(用元素符号表示)。

(3)气态SeO3分子的立体结构为____________,与SeO3互为等电子体的一种离子为____________(填化学式)。

(4)硼元素具有缺电子性,因而其化合物往往具有加和性。

①硼酸(H3BO3)是一元弱酸,写出硼酸在水溶液中的电离方程式____________。

②硼酸(H3BO3)是一种具有片层结构的白色晶体,层内的H3BO3分子间通过氢键相连(如图1)。含1 mol H3BO3的晶体中有____________mol氢键,____________molσ键。H3BO3中B的原子杂化类型为____________。

(5)硅的某种单质的晶胞如图2所示。若该硅晶体的密度为ρg·cm-3,阿伏加德罗常数值为NA,则晶体中最近的两个硅原子之间的距离为________cm(用代数式表示即可)

【答案】(1)1s22s22p63s23p63d104s24p3([Ar]3d104s24p3)

(2)Br>As>Se

(3)平面三角形 CN

(4)①H3BO3+H2O[B(OH)4]-+H+

②3 6 sp2

(5)·

【解析】(1)砷是33号元素,根据原子核外电子排布规律可以写出电子排布式为1s22s22p63s23p63d104s24p3(或[Ar]3d104s24p3)。

(2)As、Se、Br属于同一周期且原子序数逐渐增大,这三种元素依次属于第ⅤA族、第ⅥA族、第ⅦA族,第ⅤA族元素大于其相邻元素的第一电离能,所以3种元素的第一电离能从大到小顺序为Br>As>Se。

(3)气态SeO3分子中中心原子的价层电子对数为=3,无孤电子对,所以分子构型为平面三角形,又因为等电子体要求原子总数相同,价电子总数相同,所以与SeO3互为等电子体的一种离子为C或N

(4)①硼酸为一元弱酸,在水溶液里电离出阴阳离子,其电离方程式为H3BO3+H2O[B(OH)4]-+H+;

②根据1个硼酸分子能形成3个氢键,1个硼酸分子能形成6个σ键,则1 mol H3BO3的晶体中氢键物质的量是3 mol,σ键是6 mol;

根据图知,硼酸(H3BO3)中每个硼原子连接3个氧原子且不含孤电子对,据此确定硼原子杂化方式为sp2

(5)该晶胞中Si个数=8×+6×+4=8,故晶胞质量为g=g,硅晶体的密度为ρg·cm-3,则晶胞棱长=cm,则晶胞体对角线长度为·cm,故最近的两个硅原子之间的距离为·cm×=·cm。

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(1)写出元素G的基态原子外围电子排布式________;B、C、D三种元素分别形成的最简单氢化物的沸点最高的是________(用化学式表示)。

(2)由上述元素中的两种元素组成的一种阴离子与D的一种同素异形体分子互为等电子体该阴离子化学式为________。

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(6)由上述元素中电负性最大的元素和第一电离能最小的元素形成的某化合物N的晶胞如右图所示。化合物N与氧化钙相比晶格能较小的是______(填化学式)。已知该化合物的晶胞边长为a pm,则该化合物的密度为________g·cm-3(只要求列出算式不必计算出数值阿伏加德罗常数的数值为NA,1 pm=10-10cm)。

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