题目内容

多晶硅生产工艺流程如下:

(1)粗硅粉碎的目的是   。分离SiHCl3 (l)和SiCl4(l)的方法为   
(2)900℃以上, H2与SiHCl3发生如下反应:SiHCl3 (g)+ H2 (g)Si (s) + 3HCl (g)    ΔH >0,其平衡常数表达式为K =     。为提高还原时SiHCl3的转化率,可采取的措施有   
(3)该流程中可以循环使用的物质是   
(4)SiCl4与上述流程中的单质发生化合反应,可以制得SiHCl3,其化学方程式为   


(1)增大接触面积,加快反应速率,充分反应    蒸馏
(2)K=      升高温度或增大氢气与 SiHC13的物质的量之比或增大氢气浓度
(3)HCl、H2
(4)3SiCl4+Si+2H2=4SiHCl3

解析试题分析:工业流程题,(1)为了加快反应速率,常需要把固体物质粉碎,以增大反应物的接触面积;互溶液体的分离用蒸馏的方法(2)可以根据化学平衡移动原理,考虑采用的方法和措施, 升高温度、增大氢气浓度、移出HCl等均可;(3)流程中生成和使用的物质,有HCl、H2
考点:依据工业流程,考查实验目的、措施、分离、化学用语等有关问题。

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