题目内容
【题目】(1)钒在元素周期表中的位置为__________,其价层电子排布图为____________。
(2)基态镓(Ga)原子的电子排布式:__________________。
(3) Fe3+的电子排布式为__________________。
(4)基态铜原子的核外电子排布式为__________________。
(5) Ni2+的价层电子排布图为_____________________。
【答案】第四周期第ⅤB族 1s22s22p63s23p63d104s24p1 1s22s22p63s23p63d5 1s22s22p63s23p63d104s1
【解析】
(1)根据钒的核电荷数为23,其核外电子排布式为1s22s22p63s23p63d34s2,其价层电子为3d24s2,根据能量最低原则、泡利不相容原理和洪特规则正确画出其价层电子排布示意图;
(2)镓(Ga)原子的核电荷数为31,根据核外电子排布规律书写基态镓(Ga)原子的电子排布式;
(3)根据核外电子排布规律写出基态铁原子的电子排布式:1s22S22p63s23p63d64s2,据此写出 Fe3+的电子排布式;
(4)根据核外电子排布规律写出基态铜原子的电子排布式;
(5)镍原子核电荷数为28,Ni的核外电子排布式为1s22s22p63s23p63d84s2,,Ni2+的核外电子排布式为1s22s22p63s23p63d8,根据能量最低原则、泡利不相容原理和洪特规则正确画出其价层电子排布示意图;
(1)钒的核电荷数为23,则可以推知钒在元素周期表中的位置为第4周期VB族,其电子排布式为1s22s22p63s23p63d34s2,其价层电子排布式为3d34s2,则电子排布图为。
综上所述,本题答案是:第四周期第ⅤB族; 。
(2) 镓原子的核电荷数为31,基态镓(Ga)原子的电子排布式:1s22s22p63s23p63d104s24p1 。
综上所述,本题答案是:1s22s22p63s23p63d104s24p1。
(3) 基态铁原子的电子排布式:1s22S22p63s23p63d64s2,铁原子失去3个电子,Fe3+的电子排布式为:1s22s22p63s23p63d5 ;
综上所述,本题答案是:1s22s22p63s23p63d5。
(4) 铜原子核电荷数为29,基态铜原子的核外电子排布式为1s22s22p63s23p63d104s1 ;
综上所述,本题答案是:1s22s22p63s23p63d104s1 。
(5) 镍原子核电荷数为28,Ni的核外电子排布式为1s22s22p63s23p63d84s2,,Ni2+的核外电子排布式为1s22s22p63s23p63d8,Ni2+的价层电子排布图为;
综上所述,本题答案是:。
【题目】第三代半导体材料氮化镓(GaN)适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件,通常称为高温半导体材料。回答下列问题:
(1)基态Ga原子价层电子的轨道表达式为_________________________,第一电离能介于N和B之间的第二周期元素有_______种。
(2)HCN分子中σ键与π键的数目之比为_______,其中σ键的对称方式为___________。与CN—互为等电子体的分子为___________。
(3)NaN3是汽车安全气囊中的主要化学成分,其中阴离子中心原子的杂化轨道类型为_________。NF3的空间构型为____________。
(4)GaN、GaP、GaAs都是很好的半导体材料,晶体类型与晶体硅类似,熔点如下表所示,分析其变化原因_________________________________________________________。
GaN | GaP | GaAs | |
熔点 | 1700℃ | 1480℃ | 1238℃ |
(5)GaN晶胞结构如下图所示。已知六棱柱底边边长为a cm,阿伏加德罗常数的值为NA。
① 晶胞中Ga原子采用六方最密堆积方式,每个Ga原子周围距离最近的Ga原子数目为_____________;
② GaN的密度为______________________g·cm3(用a、NA表示)。