题目内容

[化学-选修3:物质结构与性质]
砷(As)在地壳中含量不大,但砷的化合物却是丰富多彩.
(1)砷的基态原子的电子排布式为
 

(2)目前市售的发光二极管,其材质以砷化镓(GaAs)为主.Ga和As相比,电负性较大的 是
 
,GaAs中Ga的化合价为
 

(3)AsH3是无色稍有大蒜气味的气体,在AsH3中As原子的杂化轨道类型为
 
;AsH3的沸点高于PH3,其主要原因为
 

(4)Na3As04可作杀虫剂.As043-的立体构型为
 
与其互为等电子体的分子的化学式为
 
(任写一种).
(5)H3As04和H3As03是砷的两种含氧酸,请根据结构与性质的关系,解释H3AsO4比 H3AsO3 酸性强的原因
 
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(6)磷与砷同主族,磷的一种单质白磷(P4)属于分子晶体,其晶胞如图.已知最近的两个白磷分子间距离为 a pm,阿伏加德罗常数的值为NA,则该晶体的密度为
 
g/cm3(只要求列算式,不必计算)
分析:(1)As的原子序数为33,根据构造原理书写其核外电子排布;
(2)同周期随原子序数递增电负性增大;根据化合价代数和为0计算;
(3)AsH3中As原子成3个As-H键、含有一对孤对电子,杂化轨道数为4;都属于分子晶体,相对分子质量越大范德华力越大,熔沸点越高;
(4)AsO43-中,成键数为4,孤对电子数为(5+3-2×4)×
1
2
=0,为sp3杂化;等电子体的原子数和价电子数(或电子总数)相同;
(5)比较非羟基氧多少结合As原子化合价判断,非羟基氧越多、As化合价越高则酸性越强;
(6)根据均摊法计算晶胞中白磷(P4)分子数目,计算晶胞的质量、晶胞的体积,根据ρ=
m
V
计算晶胞密度.
解答:解:(1)As的原子序数为33,由构造原理可知电子排布为1s22s22p63s23p63d104s24p3
故答案为1s22s22p63s23p63d104s24p3
(2)同周期随原子序数递增电负性增大,Ga和As同周期,As的原子序数较大,故电负性较大的是As;As处于Ⅴ
A族,电负性较大,表现-3价,故Ga为+3价,
故答案为:As;+3;
(3)AsH3中As原子成3个As-H键、含有一对孤对电子,杂化轨道数为4,As原子采取sp3杂化;AsH3和PH3形成的晶体均是分子晶体,其沸点受分子间作用力大小的影响,对于组成和结构相似的物质分子间作用力和其相对原子质量成正比,所以AsH3的沸点高于PH3
故答案为:sp3;AsH3的相对分子质量比PH3的大,分子间作用力大,因而AsH3的沸点比PH3高;
(4)AsO43-中As原子价层电子数为4+
5+3-2×4
2
=4、含有的孤电子对数是0,所以其构型是正四面体形,AsO43-中含有5个原子,32个价电子,所以与其互为等电子体的一种分子为CF4、SiF4、CCl4、SiCl4等,
故答案为:正四面体;CCl4等;
(5)H3AsO4和H3AsO3可表示为(HO)3AsO和(HO)3 As,H3AsO3中的As为+3价,而H3AsO4中非羟基氧较多、As为+5价,正电性更高,导致As-O-H中的O的电子更向As偏移,越易电离出H+
故答案为:H3AsO4和H3AsO3可表示为(HO)3AsO和(HO)3 As,H3AsO3中的As为+3价,而H3AsO4中非羟基氧较多、As为+5价,正电性更高,导致As-O-H中的O的电子更向As偏移,越易电离出H+
(5)由晶胞结构可知,晶胞中白磷(P4)分子数目=8×
1
8
+6×
1
2
=4,则晶胞的质量=
4×124
NA
g,两个白磷分子间距离为 a pm,最近的分子处于面的对角线上,令晶胞棱长=2a pm×
2
2
=
2
a pm,则晶胞的体积=(
2
a×10-10cm)3=(
2
a×10-103 cm3,故晶胞的密度=
4×124
NA
g
(
2
a×10-10)3 cm3
=
496
NA(
2
a×10-10)3
g/cm3
故答案为:
496
NA(
2
a×10-10)3
点评:本题考查较综合,涉及电子排布、电负性、杂化类型、分子结构与性质、等电子体、晶胞计算等,注意掌握含氧酸酸性强弱的比较,(5)中计算晶胞的棱长是解题关键,注意最近的分子处于面的对角线上.
练习册系列答案
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硅是重要的半导体材料,构成了现代电子工业的基础.请回答下列问题:
(1)基态Si原子中,电子占据的最高能层符号为
M
M
,该能层具有的原子轨道数为
9
9
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4
4

(2)硅主要以硅酸盐、
二氧化硅
二氧化硅
等化合物的形式存在于地壳中.
(3)单质硅存在与金刚石结构类似的晶体,其中原子与原子之间以
共价键
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相结合,其晶胞中共有8个原子,其中在面心位置贡献
3
3
个原子.
(4)单质硅可通过甲硅烷(SiH4)分解反应来制备.工业上采用Mg2Si和NH4Cl在液氨介质中反应制得SiH4,该反应的化学方程式为
Mg2Si+4NH4Cl=SiH4+4NH3+2MgCl2
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(5)碳和硅的有关化学键键能如下所示,简要分析和解释下列有关事实:
化学键 C-C C-H C-O Si-Si Si-H Si-O
键能/(kJ?mol-1 356 413 336 226 318 452
①硅与碳同族,也有系列氢化物,但硅烷在种类和数量上都远不如烷烃多,原因是
C-C键和C-H键较强,所形成的烷烃稳定.而硅烷中Si-Si键和Si-H键的键能较低,易断裂,导致长链硅烷难以生成.
C-C键和C-H键较强,所形成的烷烃稳定.而硅烷中Si-Si键和Si-H键的键能较低,易断裂,导致长链硅烷难以生成.

②SiH4的稳定性小于CH4,更易生成氧化物,原因是
C-H键的键能大于C-O键,C-H键比C-O键稳定.而Si-H键的键能却远小于Si-O键,所以Si-H键不稳定而倾向于形成稳定性更强的Si-O键
C-H键的键能大于C-O键,C-H键比C-O键稳定.而Si-H键的键能却远小于Si-O键,所以Si-H键不稳定而倾向于形成稳定性更强的Si-O键

(6)在硅酸盐中,SiO
 
4-
4
四面体(如下图(a))通过共用顶角氧离子可形成岛状、链状、层状、骨架网状四大类结构型式.图(b)为一种无限长单链结构的多硅酸根,其中Si原子的杂化形式为
sp3
sp3
,Si与O的原子数之比为
1:3
1:3
,化学式为
SiO32-
SiO32-

【化学--选修3:物质结构与性质】
VA族的氮、磷、砷(As)等元素在化合物中常表现出多种氧化态,含VA族元素的化合物在研究和生产中有许多重要用途.请回答下列问题:
(1)白磷单质的中P原子采用的轨道杂化方式是
sp3
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(2)原子的第一电离能是指气态电中性基态原子失去一个电子转化为气态基态正离子所需要的最低能量,N、P、As原子的第一电离能由大到小的顺序为
N>P>As
N>P>As

(3)As原子序数为
33
33
,其核外M层和N层电子的排布式为
3s23p63d104s24p3
3s23p63d104s24p3

(4)NH3的沸点比PH3
(填“高”或“低”),原因是
NH3分子间存在较强的氢键,而PH3分子间仅有较弱的范德华力
NH3分子间存在较强的氢键,而PH3分子间仅有较弱的范德华力

PO43-离子的立体构型为
正四面体
正四面体

(5)H3PO4的K1、K2、K3分别为7.6×10-3、6.3×10-8、4.4×10-13.硝酸完全电离,而亚硝酸K=5.1×10-4,请根据结构与性质的关系解释:
①H3PO4的K1远大于K2的原因
第一步电离出的氢离子抑制第二步的电离
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②硝酸比亚硝酸酸性强的原因
硝酸中N呈+5价,N-O-H中O的电子更向N偏移,导致其越易电离出氢离子
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(6)NiO晶体结构与NaCl晶体类似,其晶胞的棱长为a cm,则该晶体中距离最近的两个阳离子核间的距离为
2
2
a
2
2
a
cm(用含有a的代数式表示).
在一定温度下NiO晶体可以自发地分散并形成“单分子层”(如图),可以认为氧离子作密致单层排列,镍离子填充其中,列式并计算每平方米面积上分散的该晶体的质量为
1.83×10-3
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g (氧离子的半径为1.40×10-10m)

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