电子工业中清洗硅片上的SiO2(s)的反应是: SiO2＝Si F4(g)+2H2O＝-94.0 kJ·mol-1 ΔS＝-75.8 J·mol-1 ·K -1 .设ΔH和ΔS不随温度而变化.试求此反应自发进行的温度条件? 题目和参考答案——青夏教育精英家教网—

题目内容

电子工业中清洗硅片上的SiO₂（s）的反应是：

SiO₂（s）＋4HF(g)＝Si F₄(g)＋2H₂O(g) ΔＨ(298.15K)＝－94.0 kJ·mol^－1 ΔＳ(298.15K)＝－75.8 J·mol^－1 ·K ^－1 ，设ΔＨ和ΔＳ不随温度而变化，试求此反应自发进行的温度条件？

当温度低于1.24×K时反应可自发进行。

解析:

依据反应自发进行时的判据：△H－T△S＜0，变形求解可得。要使反应自发进行，则△H－T△S＜0，即：

（－94.0 kJ·mol^－1）－T（－75.8 ×10^－3kJ·mol^－1 ·K ^－1）＜0

T＜＝＝1.24×K

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SiO₂(s)+4HF(g) SiF₄(g)+2H₂O(g)?ΔH(298.15 K)=-94.0 kJ·mol^-1?

ΔS（298.15 K）=-75.8 J·mol^-1·K^-1?

设ΔH和ΔS不随温度而变化，试求此反应自发进行的温度条件。????????????

10分）电子工业中清洗硅片上的SiO₂（s）的反应是

SiO₂(s)+4HF(g) ==SiF₄(g)+2H₂O(g) △H(298.15K)=-94.0kJ·mol^-1 △S(298.15K)=-75.8J·mol^-1·K^-1设△H和△S不随温度而变，试求此反应自发进行的温度条件。

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