题目内容

10分)电子工业中清洗硅片上的SiO2(s)的反应是

SiO2(s)+4HF(g) ==SiF4(g)+2H2O(g) △H(298.15K)=-94.0kJ·mol-1  △S(298.15K)=-75.8J·mol-1 ·K-1 △H△S不随温度而变,试求此反应自发进行的温度条件。

 

【答案】

1240K

【解析】

试题分析:根据△G=△H-T·△S可知

当△G<0时反应是自发进行的

所以

所以该反应自发进行的温度是不难超过1240K

考点:考查△G的有关计算

点评:本题是基础性试题的考查,试题注重基础,难易适中。该题有利于培养学生的规范答题能力,提高学习效率。

 

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