题目内容
【题目】2018年7月5日《科学》杂志在线报道：合成一种新的具有超高热导率半导体材料——砷化硼（BAs）。通过反应4BI3(g) + As4(g)
4BAs(s，晶体) + 6I2(g)可制备BAs晶体。下列说法错误的是（）
图（a） 图（b） 图（c）
A. 图（a）表示As4结构，As4分子中成键电子对与孤电子对数目之比为3:1
B. 图（b）表示晶态单质硼的B12基本结构单元，该基本单元为正20面体
C. 图（b）所示晶态单质硼的熔点为2180℃，它属于原子晶体
D. 图（c）表示BAs晶胞结构，As原子的配位数为4
【答案】A
【解析】
A. 图（a）表示As4结构，每个As原子最外层有5个电子，形成3个σ键，还有1对孤电子对，As4分子中成键电子对与孤电子对数目之比为6:4，即3:2，故A错误；
B. 图（b）表示晶态单质硼的B12基本结构单元，每个面都是由3个B原子形成的正三角形，每个B原子被5个正三角形共用，一共20个面，所以该基本单元为正20面体，故B正确；
C. 单质硼的熔点为2180℃，熔点较高，且原子间通过共价键结合，属于原子晶体，故C正确；
D. BAs晶胞中，较大的原子为As原子，在其周围最近的B原子数目为4，所以As原子的配位数为4，故D正确；
故选A。
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