题目内容
【题目】晶体硅是一种重要的非金属材料,制备纯硅的主要步骤如下:
①高温下用炭还原二氧化硅制得粗硅;
②粗硅与干燥HCl气体反应制得SiHCl3:Si+3HClSiHCl3+H2;
③SiHCl3与过量H2在1000~1100 ℃反应制得纯硅。
已知:SiHCl3能与H2O强烈反应,在空气中易自燃。
请回答下列问题:
(1)第①步制备粗硅的化学方程式为_____________________。
(2)用SiHCl3与过量H2反应制备纯硅的装置如下(热源及夹持装置略去):
①装置B中的试剂是________。装置C中的烧瓶需要加热,其目的是_________________。
②反应一段时间后,装置D中观察到的现象是________________,装置D中发生反应的化学方程式为__________________________。
③为保证制备纯硅实验的成功,操作的关键是检查实验装置的气密性,控制好反应温度以及__________________________。
④SiHCl3的电子式为________,SiHCl3与H2O反应的化学方程式为:_________________。
【答案】(1)SiO2+2CSi+2CO↑;
(2)①浓硫酸;使滴入烧瓶中的SiHCl3汽化进入石英管反应;
②有灰黑色固体物质生成;SiHCl3+H2Si+3HCl;
③排尽装置中的空气;
④,SiHCl3+3H2O=H2SiO3↓+3HCl+H2↑或SiHCl3+4H2O=H4SiO4↓+3HCl+H2↑。
【解析】
试题分析:(1)粗硅制备常用C和SiO2反应制备,反应方程式为:SiO2+2CSi+2CO↑;(2)①SiHCl3与水发生强烈反应,因此避免水进入,因此B中盛放浓硫酸,吸收H2中的水蒸气,滴入烧瓶中的SiHCl3汽化进入石英管反应;②SiHCl3+H2 Si+3HCl,有灰黑色固体物质生成;③氢气是可燃性气体,与氧气混合容易发生爆炸,因此要排尽装置的空气;④参考SiCl4的结构,SiHCl3的电子式为:;与水剧烈反应,在空气中易自燃,说明产生可燃性气体,SiHCl3+3H2O = H2SiO3↓+3HCl + H2↑。