题目内容

17.下表是25℃时某些盐的浓度积常数和弱酸的电离平衡常数,下列说法正确的是(  )
化学式AgClAg2CrO4CH3COOHHClOH2CO3
Ks或KaKsp=1.8×10-10Ksp=2.0×10-12Ka=1.8×10-5Ka=3.0×10-8Ka1=4.1×10-7
Ka2=5.6×10-11
A.相同浓度CH3COONa和NaClO的混合液中,各离子浓度的大小关系是c(Na+)>c(ClO-)>c(CH3COO-)>c(OH-)>c(H+
B.向0.1mol•L-1CH3COOH溶液中滴加NaOH溶液至c(CH3COOH):c(CH3COO-)=5:9,此时溶液pH=5
C.碳酸钠溶液中滴加少量氯水的离子方程式为CO2-3 +Cl2+H2O=HCO-3+Cl-+HClO
D.向浓度均为1×10-3mol•L-1的KCl和K2CrO4混合液中滴加1×10-3mol•L-1的AgNO3溶液,CrO2-4先形成沉淀.

分析 A.弱电解质的电离平衡常数越小,说明该弱电解质的电离程度越小,则其相应离子的水解程度越大;
B.缓冲溶液中pH=pKa+lg$\frac{弱酸盐}{弱酸}$;
C.弱电解质的电离平衡常数越大,其酸性越强,所以次氯酸比碳酸氢根离子的酸性强;
D.混合溶液中生成氯化银需要的c(Ag+)=$\frac{Ksp(AgCl)}{c(C{l}^{-})}$,生成Ag2CrO4需要的c(Ag+)=$\sqrt{\frac{Ksp}{c(Cr{{O}_{4}}^{2-})}}$,需要的银离子浓度小的物质先沉淀.

解答 解:A.次氯酸根离子的水解程度大于醋酸根离子,所以c(CH3COO-)>c(ClO-),故A错误;
B.缓冲溶液中pH=pKa+lg$\frac{弱酸盐}{弱酸}$=4.8+lg$\frac{9}{5}$=5.055≈5,故B正确;
C.HClO的电离平衡常数大于HCO3-,所以次氯酸的酸性大于碳酸氢根离子,向Na2CO3溶液中滴加少量氯水,溶液中碳酸钠过量,盐酸和碳酸钠反应生成碳酸氢钠,次氯酸和碳酸钠反应生成碳酸氢钠和次氯酸钠,反应的离子方程式应为:2CO32-+Cl2+H2O=Cl-+ClO-+2HCO3-,故C错误;
D.混合溶液中生成氯化银需要的c(Ag+)=$\frac{Ksp(AgCl)}{c(C{l}^{-})}$=$\frac{1.8×1{0}^{-10}}{1×1{0}^{-3}}$=1.8×10-7mol/L,生成Ag2CrO4需要的c(Ag+)=$\sqrt{\frac{Ksp}{c(Cr{{O}_{4}}^{2-})}}$=$\sqrt{\frac{2.0×1{0}^{-12}}{1×1{0}^{-3}}}$mol/L=4.47×10-5mol/L,所以氯化银先沉淀,故D错误;
故选B.

点评 本题考查弱电解质的电离、难溶电解质的溶解平衡,明确弱酸的电离平衡常数越大其酸性越强,则弱酸根离子的水解程度越小,注意ClO-、CO32-、HCO3-的水解程度大小顺序是CO32->ClO->HCO3-,难度较大.

练习册系列答案
相关题目
8.硅及其化合物的开发由来已久,在现代生活中有广泛应用.回答下列问题.
(1)高纯硅是现代信息、半导体和光伏发电等产业都需要的基础材料.工业上提纯硅有多种路线,其中一种工艺流程示意图及主要反应如图.
发生的主要反应
电弧炉SiO2+2C$\frac{\underline{\;1600-1800℃\;}}{\;}$Si+2CO↑
流化床反应器Si+3HCl$\frac{\underline{\;250-300\;}}{\;}$SiHCl3+H2
还原炉
①还原炉中发生主要反应的化学方程式为SiHCl3+H2$\frac{\underline{\;高温\;}}{\;}$Si+3HCl.该工艺中可循环使用的物质为HCl和H2(填化学式).用石英砂和焦炭在电弧炉中高温加热也可以生产碳化硅,该反应的化学方程式为SiO2+3C$\frac{\underline{\;高温\;}}{\;}$ SiC+2CO↑.
②在流化床反应的产物中,SiHCl3大约占85%,还有SiCl4、SiH2Cl2、SiH3Cl等,有关物质的沸点数据如下表,提纯SiHCl3的主要工艺操作依次是沉降、冷凝和精馏(或蒸馏).
物质SiSiCl4SiHCl3SiH2Cl2SiH3ClHClSiH4
沸点/°C235557.631.88.2-30.4-84.9-111.9
③SiHCl3极易水解,其完全水解的化学方程式为SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl↑.
(2)氮化硅(Si3N4)是一种高温结构材料,粉末状态的Si3N4可以由SiCl4的蒸气和NH3反应制取.粉末状Si3N4遇空气和水都不稳定.但将粉末状的Si3N4和适量氧化镁在230×1.01×105Pa和185°C的密闭容器中进行热处理,可以制得结构十分紧密、对空气和水都相当稳定的固体材料,同时还得到遇水不稳定的Mg3N2
①由SiCl4和NH3反应制取Si3N4的化学方程式为3SiCl4+4NH3$\frac{\underline{\;高温\;}}{\;}$Si3N4+12HCl.
②四氯化硅和氮气在氢气气氛保护下,加强热发生反应,使生成的Si3N4沉积在石墨表面可得较高纯度的氮化硅,该反应的化学方程式为3SiCl4+2N2+6H2$\frac{\underline{\;高温\;}}{\;}$Si3N4+12HCl.
③Si3N4和适量氧化镁在230×1.01×105Pa和185°C的密闭容器中进行热处理的过程中,除生成Mg3N2外,还可能生成SiO2物质(填化学式).热处理后除去MgO和Mg3N2的方法是加足量稀盐酸过滤.

违法和不良信息举报电话:027-86699610 举报邮箱:58377363@163.com

精英家教网