导体框架abcd构成的平面与水平面成角，质量为m的导体棒PQ与导体轨道、接触良好而且相互垂直。轨道、平行，间距为L。回路的面积为S，总电阻为R且保持不变。匀强磁场方向垂直框架平面斜向上，其变化规律如图乙所示。从开始，导体棒PQ始终处于静止状态，图乙中为已知量，足够大，则  （    ）

    A．产生感应电流时，导体棒PQ中的电流方向为由P到Q

    B．产生感应电流时，感应电流为恒定电流

    C．产生感应电流时，导体棒PQ受到的安培力为恒力

    D．PQ恰好不受摩擦力时，磁感应强度的大小为

 导体框架abcd构成的平面与水平面成角，质量为m的导体棒PQ与导体轨道、 接触良好而且相互垂直。轨道、平行，间距为L。回路的面积为S，总电阻为R且保持不变。匀强磁场方向垂直框架平面斜向上，其变化规律如图乙所示。从开始，导体棒PQ始终处于静止状态，图乙中为已知量，足够大，则  （    ）

    A．产生感应电流时，导体棒PQ中的电流方向为由P到Q

    B．产生感应电流时，感应电流为恒定电流

    C．产生感应电流时，导体棒PQ受到的安培力为恒力

    D．PQ恰好不受摩擦力时，磁感应强度的大小为

如图甲所示，导体框架abcd的ab、cd边平行，框架平面与水平面的夹角为θ,质量为m的导体棒PQ垂直放在两平行导轨ab、cd上,导体棒与框架构成回路的总电阻为R,整个装置处于垂直于框架平面的变化磁场中,磁感应强度(取垂直框架向上为正）随 时间变化规律如图.乙所示。PQ能始终保持静 止，则在0〜t₂时间内，回路中电流i随时间t变化的图像（取P→Q→c→b→P方向为正）和PQ受到的摩擦力f随时间t变化的图似取平行于框架平面向上为正）可能正确的是

如图甲所示，导体框架abcd的ab、cd边平行，框架平面与水平面的夹角为θ,质量为m的导体棒PQ垂直放在两平行导轨ab、cd上,导体棒与框架构成回路的总电阻为R,整个装置处于垂直于框架平面的变化磁场中,磁感应强度(取垂直框架向上为正）随 时间变化规律如图.乙所示。PQ能始终保持静 止，则在0〜t₂时间内，回路中电流i随时间t变化的图像（取P→Q→c→b→P方向为正）和PQ受到的摩擦力f随时间t变化的图似取平行于框架平面向上为正）可能正确的是

如图甲所示，导体框架abcd的ab、cd边平行，框架平面与水平面的夹角为θ,质量为m的导体棒PQ垂直放在两平行导轨ab、cd上,导体棒与框架构成回路的总电阻为R,整个装置处于垂直于框架平面的变化磁场中,磁感应强度(取垂直框架向上为正）随时间变化规律如图乙所示．PQ能始终保持静止，则在0〜t₂时间内，回路中电流i随时间t变化的图像（取P→Q→c→b→P方向为正）和PQ受到的摩擦力f随时间t变化的图像（取平行于框架平面向上为正）可能正确的是（    ）