题目内容
如图所示，正方形导线框在水平恒力F作用下向右平移，并将穿过一有界匀强磁场，磁场宽度大于线框边长，ab边进入磁场时，线框的加速度为零，比较线框进入磁场过程与穿出磁场过程（不含全在磁场中的过程），下列说法中正确的是（ ）
 |
如图所示，正方形导线框在水平恒力F作用下向右平移，并将穿过一有界匀强磁场，磁场宽度大于线框边长，ab边进入磁场时，线框的加速度为零，比较线框进入磁场过程与穿出磁场过程（不含全在磁场中的过程），下列说法中正确的是（ ）
查看习题详情和答案>>
试题答案
AB如图所示，正方形导线框在水平恒力F作用下向右平移，并将穿过一有界匀强磁场，磁场宽度大于线框边长，ab边进入磁场时，线框的加速度为零，比较线框进入磁场过程与穿出磁场过程（不含全在磁场中的过程），下列说法中正确的是（ ）| A．力F做功相等 |
| B．线框中感应电流方向相反 |
| C．线框所受安培力方向相反 |
| D．线框中产生的焦耳热相同 |
查看习题详情和答案>>
边长为L的正方形导线框在水平恒力F作用下运动，穿过方向如图所示的有界匀强磁场区域．磁场区域的宽度为d（d＞L）．已知ab边进入磁场时，线框的加速度恰好为零．则线框进入磁场的过程和从磁场另一侧穿出的过程相比较，正确的是（ ）边长为L的正方形导线框在水平恒力F作用下运动，穿过方向如图所示的有界匀强磁场区域．磁场区域的宽度为d（d>L）．已知ab边进入磁场时，线框的加速度恰好为零．则线框进入磁场的过程和从磁场另一侧穿出的过程相比较，正确的是
A．金属框中产生的感应电流方向相反
B．金属框所受的安培力方向相反
C．进入磁场过程通过导线横截面的电量少于穿出磁场过程 通过导线横截面的电量
D．进入磁场过程的发热量少于穿出磁场过程的发热量
查看习题详情和答案>>
| A．金属框中产生的感应电流方向相反 |
| B．金属框所受的安培力方向相反 |
| C．进入磁场过程通过导线横截面的电量少于穿出磁场过程 通过导线横截面的电量 |
| D．进入磁场过程的发热量少于穿出磁场过程的发热量 |
边长为L的正方形导线框在水平恒力F作用下运动，穿过方向如图所示的有界匀强磁场区域．磁场区域的宽度为d（d>L）．已知ab边进入磁场时，线框的加速度恰好为零．则线框进入磁场的过程和从磁场另一侧穿出的过程相比较，正确的是
A．金属框中产生的感应电流方向相反
B．金属框所受的安培力方向相反
C．进入磁场过程通过导线横截面的电量少于穿出磁场过程 通过导线横截面的电量
D．进入磁场过程的发热量少于穿出磁场过程的发热量
查看习题详情和答案>>边长为L的正方形导线框在水平恒力F作用下运动，穿过方向如图所示的有界匀强磁场区域．磁场区域的宽度为d（d>L）．已知ab边进入磁场时，线框的加速度恰好为零．则线框进入磁场的过程和从磁场另一侧穿出的过程相比较，正确的是
A．金属框中产生的感应电流方向相反
B．金属框所受的安培力方向相反
C．进入磁场过程通过导线横截面的电量少于穿出磁场过程 通过导线横截面的电量
D．进入磁场过程的发热量少于穿出磁场过程的发热量
查看习题详情和答案>>
边长为L的正方形导线框在水平恒力F作用下运动，穿过方向如图所示的有界匀强磁场区域．磁场区域的宽度为d（d>L）．已知ab边进入磁场时，线框的加速度恰好为零．则线框进入磁场的过程和从磁场另一侧穿出的过程相比较，正确的是 
| A．金属框中产生的感应电流方向相反 |
| B．金属框所受的安培力方向相反 |
| C．进入磁场过程通过导线横截面的电量少于穿出磁场过程 通过导线横截面的电量 |
| D．进入磁场过程的发热量少于穿出磁场过程的发热量 |