题目内容
| 在国际单位制中，电压的单位是： |
A．安培 B．焦耳 C．伏特 D．库仑 |
试题答案
C
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电压的单位：
（1）在国际单位制中，电压的单位是
（2）电压的单位中，比“伏”大的单位还有
（3）换算关系：1kV=
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（1）在国际单位制中，电压的单位是
伏特
伏特
，简称伏
伏
，符号是V
V
．（2）电压的单位中，比“伏”大的单位还有
千伏
千伏
，比伏小的单位还有毫伏
毫伏
、微伏
微伏
．（3）换算关系：1kV=
1000
1000
V；1V=1000
1000
mV．电压的单位：
（1）在国际单位制中，电压的单位是______，简称______，符号是______．
（2）电压的单位中，比“伏”大的单位还有______，比伏小的单位还有______、______．
（3）换算关系：1kV=______V；1V=______mV．
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电压的单位：
（1）在国际单位制中，电压的单位是______，简称______，符号是______．
（2）电压的单位中，比“伏”大的单位还有______，比伏小的单位还有______、______．
（3）换算关系：1kV=______V；1V=______mV．
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（1）在国际单位制中，电压的单位是______，简称______，符号是______．
（2）电压的单位中，比“伏”大的单位还有______，比伏小的单位还有______、______．
（3）换算关系：1kV=______V；1V=______mV．
电压的单位：
（1）在国际单位制中，电压的单位是 ，简称 ，符号是 ．
（2）电压的单位中，比“伏”大的单位还有 ，比伏小的单位还有 、 ．
（3）换算关系：1kV= V；1V= mV． 查看习题详情和答案>>
（1）在国际单位制中，电压的单位是 ，简称 ，符号是 ．
（2）电压的单位中，比“伏”大的单位还有 ，比伏小的单位还有 、 ．
（3）换算关系：1kV= V；1V= mV． 查看习题详情和答案>>
在物理学中，用磁感应强度（用字母B表示，国际单位：特斯拉，符号是T）表示磁场的强弱。磁感应强度B越大，磁场越强。
⑴ 用某种材料制做的磁敏电阻，其阻值R随磁感应强度B变化的图像如图13甲所示。由图像可知磁敏电阻的阻值随磁感应强度B的增大而 ，曲线没有过坐标原点，是因为 。
⑵ 利用该磁敏电阻的R－B特性曲线，可测量图13乙磁场中各处的磁感应强度。
① 将该磁敏电阻R放置在磁场中的1处，利用图13丙所示的实验电路，改变滑动变阻器的阻值得到3组电压及电流的实验数据，如表格所示。则该磁敏电阻的测量值是 Ω，位置1处的磁感应强度为 T。
② 实验中，仅将磁敏电阻从位置1处移至2处，其它条件不变，那么电流表的示数将会变 ，电压表的示数将会变 。
1 | 2 | 3 | |
U/V | 1.50 | 3.00 | 4.50 |
I/mA | 3.00 | 6.00 | 9.00 |
（1）如果你家里买回电冰箱，在选用插座时，应选用如图1中的
（2）光敏电阻的电阻值能随着光照强度的变化而改变．物理学上用“光强”来表示光的强弱．光照越强，光强越大．光强用符号E表示，在国际上用cd作单位．小明在实验中测得光敏电阻的阻值随光强E的变化图象见图2．据此回答：
①光敏电阻所用的材料应为
②从图中可知，光强越强，这种光敏电阻的阻值
③制作光敏电阻的材料在生产上、生活中得到广泛的应用，请你举一个例子：
（3）如图3所示，是小明在进行伏安法测小灯泡的电阻时，根据实验数据描出的图象．用来做实验的灯泡的额定电压是2.5V．分析图象，小明发现灯泡两端的电压与流过灯泡的电流并不成正比，原因是
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三孔
三孔
插座．（2）光敏电阻的电阻值能随着光照强度的变化而改变．物理学上用“光强”来表示光的强弱．光照越强，光强越大．光强用符号E表示，在国际上用cd作单位．小明在实验中测得光敏电阻的阻值随光强E的变化图象见图2．据此回答：
①光敏电阻所用的材料应为
半导体
半导体
（“半导体”、“超导体”或“绝缘体”）做成的．②从图中可知，光强越强，这种光敏电阻的阻值
减小
减小
（“增大”、“减少”或“不变”）．③制作光敏电阻的材料在生产上、生活中得到广泛的应用，请你举一个例子：
电视机
电视机
．（3）如图3所示，是小明在进行伏安法测小灯泡的电阻时，根据实验数据描出的图象．用来做实验的灯泡的额定电压是2.5V．分析图象，小明发现灯泡两端的电压与流过灯泡的电流并不成正比，原因是
灯丝电阻受温度的影响
灯丝电阻受温度的影响
．从图中发现，灯泡灯丝的电阻变化特点是温度越高，电阻越大
温度越高，电阻越大
．在物理学中，用磁感应强度（用字母B表示，国际单位：特斯拉，符号是T）表示磁场的强弱．磁感应强度B越大，磁场越强．
（1）用某种材料制做的磁敏电阻，其阻值R随磁感应强度B变化的图象如图甲所示．由图象可知磁敏电阻的阻值随磁感应强度B的增大而
（2）利用该磁敏电阻的R-B特性曲线，可测量图乙磁场中各处的磁感应强度．
①将该磁敏电阻R放置在磁场中的1处，利用图丙所示的实验电路，改变滑动变阻器的阻值得到3组电压及电流的实验数据，如上表所示．则该磁敏电阻的测量值是
②实验中，仅将磁敏电阻从位置1处移至2处，其它条件不变，那么电流表的示数将会变
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（1）用某种材料制做的磁敏电阻，其阻值R随磁感应强度B变化的图象如图甲所示．由图象可知磁敏电阻的阻值随磁感应强度B的增大而
增大
增大
，曲线没有过坐标原点，是因为放入磁场前，磁敏电阻不为零
放入磁场前，磁敏电阻不为零
．（2）利用该磁敏电阻的R-B特性曲线，可测量图乙磁场中各处的磁感应强度．
| 1 | 2 | 3 | |
| U/V | 1.50 | 3.00 | 4.50 |
| I/mA | 3.00 | 6.00 | 9.00 |
500
500
Ω，位置1处的磁感应强度为1.0
1.0
T②实验中，仅将磁敏电阻从位置1处移至2处，其它条件不变，那么电流表的示数将会变
大
大
，电压表的示数将会变小
小
．