（12分） “物质结构与性质”

（1）第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为               。在GaN晶体中，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为            。在四大晶体类型中，GaN属于             晶体。

（2）铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是：一方是能够提供孤电子对的原子或离子，另一方是具有               的原子或离子

（3）CuCl₂溶液与乙二胺(H₂N-CH₂-CH₂-NH₂)可形成配离子：请回答下列问题：

① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是          。

②SO₂分子的空间构型为           。与SnCl₄互为等电子体的一种离子的化学式为           。

③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为          。乙二胺和三甲胺[N(CH₃)₃]均属于胺，但乙二胺比三甲胺的沸点高的多，原因是                             。

④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有              。   

a．配位键     b．极性键    c．离子键    d．非极性键

⑤CuCl的晶胞结构如右图所示，其中Cl原子的配位数为               。

（12分） “物质结构与性质”

（1）第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为               。在GaN晶体中，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为            。在四大晶体类型中，GaN属于             晶体。

（2）铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是：一方是能够提供孤电子对的原子或离子，另一方是具有               的原子或离子

（3）CuCl₂溶液与乙二胺(H₂N-CH₂-CH₂-NH₂)可形成配离子：请回答下列问题：

① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是          。

②SO₂分子的空间构型为           。与SnCl₄互为等电子体的一种离子的化学式为           。

③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为          。乙二胺和三甲胺[N(CH₃)₃]均属于胺，但乙二胺比三甲胺的沸点高的多，原因是                             。

④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有               。   

a．配位键     b．极性键     c．离子键    d．非极性键

⑤CuCl的晶胞结构如右图所示，其中Cl原子的配位数为               。

（13分）（1）A、B、C、D四种元素处于同一周期;在同族元素中，A的气态氢化物的沸点最高;B的最高价氧化物对应的水化物的酸性在同周期中是最强的;C的电负性介于A、B之间，D与B相邻。

① A、B、C三种元素原子的第一电离能由大到小的顺序是（写元素符号）_____________ ；

② B的单质分子中存在_____________个π键；

③ D和B形成一种超硬、耐磨、耐高温的新型化合物，其熔点比金刚石_____________ （填“高”或“低”）；

（2）在半导体生产或灭火剂的使用中，会向空气逸散气体如：NF₃、CHClFCF₃、C₃F₈，它们虽是微量的，但却是强温室气体，下列推测不正确的是

A．NF₃分子呈三角锥形           

B．C₃F₈在CCl₄中的溶解度比在水中    

C．CHClFCF₃存在手性异构     

(3) 氯化铬酰（CrO₂Cl₂）在有机合成中可作氧化剂或氯化剂，能与许多有机物反应，写出铬原子的基态的核外电子排布式_____________________。某含Ti³⁺的配合物，化学式为[TiCl（H₂O）₅]Cl₂?H₂O。该配合物的配体是_____________。