摘要：半导体材料硅中掺砷后成为N型半导体.它的自由电子的浓度大大增加.导电能力也大大增加.一块N型半导体的样品的体积为a×b×c.A’.C.A.C’为其四个侧面.如图所示.已知半导体样品单位体积中的电子数为n.电阻率为ρ.电子的电荷量为e.将半导体样品放在匀强磁场中.磁场方向沿Z轴正方向.并沿x方向通有电流I.求: (1)加在半导体A’A两个侧面的电压是多少? (2)半导体中的自由电子定向移动的平均速率是多少? (3)C.C’两个侧面哪个面电势较高? (4)若测得C.C’两面的电势差为U.匀强磁场的磁感应强度是多少?

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