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所含分子数相同的一组物质是：
- A.1g H2和1g N2
- B.1mol H2O和1g H2O
- C.3.2g O2和2.24L的空气（标准状况下）
- D.44gCO2和6.02×1022个O2
所含分子数相同的一组物质是：（ ）
A．1g H2和1g N2 B． 1mol H2O和1g H2O
C．3.2g O2和2.24L的空气（标准状况下） D． 44gCO2和6.02×1022个O2
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所含分子数相同的一组物质是：（ ）
| A．1g H2和1g N2 | B．1mol H2O和1g H2O |
| C．3.2g O2和2.24L的空气（标准状况下） | D．44gCO2和6.02×1022个O2 |
（12分） “物质结构与性质”
（1）第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为 。在GaN晶体中，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为 。在四大晶体类型中，GaN属于 晶体。
（2）铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是：一方是能够提供孤电子对的原子或离子，另一方是具有 的原子或离子
（3）CuCl2溶液与乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配离子：请回答下列问题：
① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是 。
②SO2分子的空间构型为 。与SnCl4互为等电子体的一种离子的化学式为 。
③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为 。乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均属于胺，但乙二胺比三甲胺的沸点高的多，原因是 。
④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有 。
a．配位键 b．极性键 c．离子键 d．非极性键
⑤CuCl的晶胞结构如右图所示，其中Cl原子的配位数为 。
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（12分） “物质结构与性质”
（1）第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为 。在GaN晶体中，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为 。在四大晶体类型中，GaN属于 晶体。
（2）铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是：一方是能够提供孤电子对的原子或离子，另一方是具有 的原子或离子
（3）CuCl2溶液与乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配离子：请回答下列问题：
① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是 。
②SO2分子的空间构型为 。与SnCl4互为等电子体的一种离子的化学式为 。
③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为 。乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均属于胺，但乙二胺比三甲胺的沸点高的多，原因是 。
④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有 。
a．配位键 b．极性键 c．离子键 d．非极性键
⑤CuCl的晶胞结构如右图所示，其中Cl原子的配位数为 。
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